[发明专利]具有电绝缘的托板和阳极组件的沉积系统

权利要求书

1.一种通过式沉积系统，该沉积系统包括：

基片托板，该基片托板具有底部和顶部，该基片托板的顶部用于保持基片；以及

阳极，该阳极相对于所述基片托板具有固定的位置，以使得所述阳极配置为与所述基片托板一起移动，其中，所述阳极与所述基片电绝缘。

2.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述沉积系统还包括输送载具，该输送载具用于运载所述基片托板通过具有沉积源的沉积室。

3.根据权利要求2所述的沉积系统，其中，所述输送载具沿着线性的输送路径运载所述基片托板通过所述沉积室。

4.根据权利要求2所述的沉积系统，其中，所述沉积系统还包括连接在所述基片托板与所述输送载具之间的绝缘体，其中所述阳极与所述输送载具电连接，并与所述基片托板电绝缘。

5.根据权利要求4所述的沉积系统，其中，所述阳极包括所述输送载具的凸台部分，所述阳极位于与所述基片托板相邻的位置。

6.根据权利要求2所述的沉积系统，其中，所述输送载具包括载具开口，该载具开口位于与所述基片托板的基片开口相对应的位置。

7.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述基片托板包括阳极开口，该阳极开口从所述基片托板的底部贯通到所述基片托板的顶部，其中所述阳极开口的尺寸形成为允许所述阳极通过该阳极开口，而不会碰触到所述基片托板。

8.根据权利要求7所述的沉积系统，其中，所述阳极包括导电柱。

9.根据权利要求8所述的沉积系统，其中，所述阳极还包括导电棒，该导电棒连接于所述导电柱，其中所述阳极的导电棒相对于所述沉积源未被屏蔽。

10.根据权利要求9所述的沉积系统，其中，所述基片托板还包括阳极通道，该阳极通道的尺寸形成为允许所述导电棒至少部分地凹入所述基片托板的顶部，其中所述阳极通道包括侧壁，以在所述阳极的导电棒和导电柱与所述阳极通道的侧壁之间保持一致的气隙。

11.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述基片托板还包括：

基片凹槽，该基片凹槽位于所述基片托板的顶部，用于保持所述基片；以及

基片开口，该基片开口在所述基片凹槽的位置从所述基片托板的底部贯通到所述基片托板的顶部。

12.根据权利要求11所述的沉积系统，其中，所述基片凹槽包括至少一个斜边，所述基片的相应侧安装在该至少一个斜边上。

13.根据权利要求11所述的沉积系统，其中，所述基片凹槽包括不平坦的安装结构，以相对于所述基片托板的顶部以非零角度保持所述基片。

14.根据权利要求1所述的沉积系统，其中，所述沉积系统还包括接地装置，该接地装置电连接于所述阳极和接地参考，其中该接地装置包括导电滚轮、导电刷或载具轨道。

15.一种沉积方法，该方法包括以下步骤：

将基片放置在基片托板上；

将所述基片托板连接于输送载具和阳极，其中所述基片与所述阳极电绝缘；

使所述基片、基片托板、输送载具以及阳极一起移动通过沉积室；以及

将沉积材料沉积在所述基片上。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述方法还包括在所述基片托板与所述输送载具之间安装绝缘体，其中所述输送载具电连接于所述阳极。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述方法还包括通过所述基片托板上的阳极开口安装所述阳极的阳极柱。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述方法还包括将导线连接到所述阳极柱上，其中所述导线穿过所述基片托板的顶部延伸。

19.一种沉积设备，该设备包括：

用于在沉积过程中使基片与阳极保持电绝缘的部件，其中所述阳极与所述基片一起移动通过沉积室；以及

用于在所述沉积过程中使所述基片与基片托板保持相同的电位的部件。

20.根据权利要求19所述的设备，其中，该设备还包括用于将所述阳极连接于接地参考的部件。

21.根据权利要求21所述的设备，其中，所述阳极包括至少一个竖直的导电件。