[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于包括：

侧壁绝缘膜，形成在半导体衬底上，具有通过移除牺牲栅极而形成的 沟槽；

栅电极，经由栅极绝缘膜而形成于所述半导体衬底上的所述沟槽内；

应力施加膜，沿所述侧壁绝缘膜形成于所述半导体衬底上方；以及

源极/漏极区域，在所述半导体衬底中形成于所述栅电极的两侧，其特 征还在于：

所述应力施加膜在形成所述沟槽之前形成，并且所述应力施加膜形成 在所述侧壁绝缘膜两侧并且并未形成在所述栅电极上方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述应力施加膜当所述半导体器件是n型晶体管时具有张应力，并且 当所述半导体器件是p型晶体管时具有压应力。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

在包括所述栅电极在内的所述应力施加膜上具有第二应力施加膜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述应力施加膜由氮化硅形成。

5.一种半导体器件，包括n型晶体管和p型晶体管，其特征在于：

所述n型晶体管在半导体衬底的n型晶体管形成区域中具有：

侧壁绝缘膜，形成在所述半导体衬底上，具有通过移除第一牺牲 栅极而形成的第一沟槽，

栅电极，经由栅极绝缘膜在所述半导体衬底上形成于所述第一沟 槽内；

具有张应力的第一应力施加膜，沿所述侧壁绝缘膜形成于所述半 导体衬底上方，以及

源极/漏极区域，在所述半导体衬底中形成于所述栅电极的两侧； 并且

所述p型晶体管在所述半导体衬底的p型晶体管形成区域中，具有：

侧壁绝缘膜，形成在所述半导体衬底上，具有通过移除第二牺牲 栅极而形成的第二沟槽，

栅电极，经由栅极绝缘膜在所述半导体衬底上形成于所述第二沟 槽内，

具有压应力的第二应力施加膜，沿所述侧壁绝缘膜形成于所述半 导体衬底上方，以及

源极/漏极区域，在所述半导体衬底中形成于所述栅电极的两侧， 其特征还在于：

所述第一应力施加膜在形成所述第一沟槽之前形成；

所述第二应力施加膜在形成所述第二沟槽之前形成，并且

所述第一应力施加膜形成在所述n型晶体管的所述侧壁绝缘膜两侧并 且并未形成在所述n型晶体管的所述栅电极上方，并且所述第二应力施加 膜形成在所述p型晶体管的所述侧壁绝缘膜两侧并且并未形成在所述p型 晶体管的所述栅电极上方。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

在所述半导体衬底的所述n型晶体管形成区域中，

包括所述栅电极在内的所述应力施加膜上具有第三应力施加膜；以及

在所述半导体衬底的所述p型晶体管形成区域中，

包括所述栅电极在内的所述应力施加膜上具有第四应力施加膜。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：

所述第三应力施加膜具有张应力，而所述第四应力施加膜具有压应 力。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：

所述第三应力施加膜和所述第四应力施加膜是所述n型晶体管及所述 p型晶体管共有的同一层膜。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一应力施加膜由氮化硅形成，以及

所述第二应力施加膜由氮化硅形成。

10.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于：

所述第三应力施加膜由氮化硅形成，以及

所述第四应力施加膜由氮化硅形成。

11.根据权利要求5或6所述的半导体器件，其特征在于：

所述p型晶体管中的所述源极/漏极区域具有应力施加源。