[发明专利]大面积基板上沉积的装置和方法无效
申请号: | 200880007914.3 | 申请日: | 2008-02-27 |
公开(公告)号: | CN101642001A | 公开(公告)日: | 2010-02-03 |
发明(设计)人: | 约翰·M·怀特;桑杰伊·雅达夫;王群华;崔寿永;王伟杰 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H05H1/00 | 分类号: | H05H1/00;C23C16/44 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大面积 基板上 沉积 装置 方法 | ||
技术领域
本发明的实施例大体上是关于感应耦合电浆设备。
背景技术
平面显示器(flat panel display,FPD)、薄膜电晶体(thin film tmasistor,TFT)与液晶显示器(liquid crystal display,LCD)的制造包括沉积及移除多层导电材料、半导体材料与介电材料,以于玻璃基板上形成金属内连线、太阳能面板与其他特征结构。各种特征结构整合至一系统内,用以一同产生主动矩阵式显示屏幕,其中显示状态为电气形成于FPD上的各像素。用于制造FPD的制程技术包括电浆加强化学气相沉积(plasms-enhanced chemical vapor deposition,PECVD)、物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)、蚀刻等。电浆制程沉积薄膜时的温度较低且生成的薄膜品质佳,因而特别适合用来生产平面显示器。因此,此领域需要设备来沉积膜层至基板上,以制造FPD、TFT、LCD、金属内连线、太阳能面板、和其他特征结构。
发明内容
本发明大体上是关于感应耦合电浆设备。利用喷洒头产生的电浆进行沉积时,电浆可能无法均匀分配于基板边缘。藉由感应耦合电浆至腔室中对应室壁的区域,可均匀分配腔室内的电浆及均匀沉积到基板上。在处理气体进入处理室前先蒸发处理气体,亦可均匀分配电浆及均匀沉积到基板上。
在一实施例中,设备包含具多个室壁的腔室主体、基板支撑件、气体分配组件、和连接一或多个室壁的感应耦合电浆源。感应耦合电浆源包括含金属的线圈,其封在非金属材料内。
在另一实施例中,蒸发器包含蒸发器主体,具有第一区段和第二区段。每一区段延伸第一高度。第一区段具有多个由多个通道连接在一起的空间,通道垂直空间延伸。第一区段中最上面的空间连接第二区段中最底面的空间。第二区段具有多个由多个通道连接在一起的空间,通道垂直多个气体通道延伸。
在又一实施例中,设备包含腔室主体、连接腔室主体的气体分配喷洒头、置于腔室主体内且位在气体分配喷洒头对面的基板支撑件、连接腔室主体的感应耦合电浆源、和连接气体分配喷洒头的蒸发器。蒸发器包含蒸发器主体,具有多个由多个通道连接的空间。通道实质上垂直多个空间配置。感应耦合电浆源具有聚四氟乙烯外表面。感应耦合电浆源实质上围绕气体分配喷洒头与基板支撑件间的处理区域。
附图说明
为让本发明的上述特征更明显易懂,可配合参考实施例说明,其部分乃绘示如附图。须注意的是,虽然附图揭露本发明特定实施例,但其并非用以限定本发明的精神与范围,任何熟习此技艺者,当可作各种的更动与润饰而得其他等效实施例。
图1为根据本发明一实施例的电浆处理室的截面图。
图2为根据本发明一实施例的感应耦合电浆源的截面图。
图3为根据本发明另一实施例的感应耦合电浆源的截面图。
图4A为根据本发明一实施例的蒸发器的截面图。
图4B为图4A蒸发器的顶部截面图。
为助于了解,图中相同的元件符号代表相似的元件。应理解某一实施例的元件与特征结构当可并入其他实施例,而不需另行赘述。
具体实施方式
本发明大体上是关于感应耦合电浆设备。利用喷洒头产生的电浆进行沉积时,电浆可能无法均匀分配于基板边缘。藉由感应耦合电浆至腔室中对应室壁的区域,可均匀分配腔室内的电浆及均匀沉积到基板上。在处理气体进入处理室前先蒸发处理气体,亦可均匀分配电浆及均匀沉积到基板上。本发明将说明于下,并配合参考用于处理大面积基板的化学气相沉积系统,例如电浆加强化学气相沉积(PECVD)系统,其可从美国加州圣克拉拉的应用材料公司(AppliedMaterials,Inc.)的AKT部门取得。然应理解在此的设备与方法也可采用其他系统结构,包括用于处理圆形基板的系统。
图1为电浆处理室100的截面图。电浆处理室100一般包括气体分配组件132、感应耦合源组件110和下室组件138。制程体积(volume)与下体积111组成的腔室体积112定义电浆处理室100中进行电浆处理的区域,并且由气体分配组件132、感应耦合源组件110和下室组件138所包围。
下室组件138一般包括基板升降组件148、基板支撑件196和处理室基底182。处理室基底182具有室壁136与室底180,以部分界定下体积111。经由室壁136的入口186可接近处理室基底182。入口186定义出基板101进出处理室基底182的区域。室壁136与室底180可由一元铝块或其他与制程相容的材料构成。
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