[发明专利]具有改进的磁各向异性场的垂直磁记录介质无效
| 申请号: | 200880007190.2 | 申请日: | 2008-01-29 |
| 公开(公告)号: | CN101669168A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
| 发明(设计)人: | H-S·钟;G·伯特罗;E·韦卢;M·C-C·郭;B·R·阿查亚;S·马尔霍特拉 | 申请(专利权)人: | 西部数据传媒公司 |
| 主分类号: | G11B5/66 | 分类号: | G11B5/66 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 改进 各向异性 垂直 记录 介质 | ||
1.一种磁记录介质,其包括:
基底;
在所述基底上形成的软衬层;
在所述软衬层上形成的包含非晶Ta的籽晶层;
在所述籽晶层上形成的包含Ni和W的无磁性FCC合金;
在所述无磁性合金上形成的无磁性HCP衬层;和
在所述无磁性HCP衬层上形成的磁性层。
2.权利要求1所述的磁记录介质,其中所述无磁性合金是包含6 到15原子百分比的W并且剩余部分基本上是Ni的FCC合金,所述磁 性层包含第一和第二子层,所述介质还包括:在所述软衬层与所述基 底之间的粘附层和在所述磁性层之上的保护性外涂层。
3.磁盘驱动装置,其包含权利要求1所述的介质。
4.一种制造磁记录介质的方法,包括:
在基底上形成软衬层;
在所述软衬层上形成包含非晶Ta的籽晶层;
在所述籽晶层上形成包含Ni和W的无磁性FCC合金;
在所述无磁性合金上形成无磁性HCP衬层;和
在所述无磁性HCP衬层上形成磁性层。
5.权利要求4所述的方法,其中所述无磁性合金是包含6到15原 子百分比的W并且剩余部分基本上是Ni的FCC合金,所述磁性层包 括第一和第二子层,所述方法还包括:
在所述软衬层与所述基底之间形成粘附层;和
在所述磁性层之上形成保护性外涂层。
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