[发明专利]压电材料、多层致动器以及用于制备压电构件的方法有效
申请号: | 200880006936.8 | 申请日: | 2008-02-27 |
公开(公告)号: | CN101627484A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
发明(设计)人: | A·费尔茨;M·肖斯曼;P·施米特-温克尔 | 申请(专利权)人: | 埃普科斯股份有限公司 |
主分类号: | H01L41/187 | 分类号: | H01L41/187;H01L41/083;C04B35/493;C04B35/491 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 石克虎;李连涛 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 材料 多层 致动器 以及 用于 制备 构件 方法 | ||
1.压电材料,其含总式为P1-c-dDcZd的材料,其中:
0<c≤0.15和0≤d≤0.5
-其中P代表组成Pb(Zr1-yTiy)O3,且0.50≤1-y≤0.60,
-其中Z代表钙钛矿结构类型的添加成分,
-其中D代表通式为[(M1O)1-p(M2O)p]a[Nb2O5]1-a的材料,其中M1代表Ba1-tSrt且0≤t≤1,M2代表锶和/或钙,并且2/3<a<1和0<p<1,
-其中该材料D含冰晶石结构类型。
2.权利要求1的压电材料,其中0<c≤0.025。
3.权利要求1的压电材料,其中0.0255<c<0.0443。
4.权利要求1-3之一的压电材料,其含混晶,包括以钙钛矿型ABO3结构作为主晶格的成分P和成分D,其中,至少部分M2阳离子占据该PZT钙钛矿主晶格的表观B-位。
5.权利要求1-3之一的压电材料,其中6/7<a<1。
6.权利要求1-3之一的压电材料,其中2/3<a<4/5。
7.权利要求1-3之一的压电材料,其中4/5≤a≤6/7和1/4≤p≤1/3,和具有通式(M1)4[(M2)2-2x/3Nb2+2x/3]O11+xVO;1-x且0≤x≤1和VO代表氧空位的冰晶石结构的成分D与PZT主晶格形成固溶体,其中a=22/35+24p/35和a=6/7-2x/35。
8.权利要求1-3之一的压电材料,其还含至多5摩尔%的PbO。
9.权利要求1-3之一的压电材料,其中式(M1)4[(M2)2Nb2]O11VO;1的冰晶石化合物与PZT主晶格形成固溶体。
10.权利要求1-3之一的压电材料,其中该冰晶石化合物是成分D的组分,并且成分D的过量的MO与成分P至少部分反应成M(Zr1-yTiy)O3和PbO,其中M代表M1或M2。
11.权利要求1-3之一的压电材料,其中式(M1)4[(M2)4/3Nb8/3]O12的冰晶石化合物与PZT主晶格形成固溶体。
12.权利要求1-3之一的压电材料,其中所述冰晶石化合物是成分D的组分,并且成分D的过量的Nb2O5与附加存在的PbO至少部分反应成铌酸铅。
13.权利要求1-3之一的压电材料,其含作为成分D与PZT主晶格的反应产物的M(Zr1-yTiy)O3,其中M代表M1或M2。
14.权利要求1-3之一的压电材料,(M1)4[(M2)4/3Nb8/3]O12与PZT主晶格至少部分反应成铌酸铅。
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