[发明专利]形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物

权利要求书

1.一种形成半导体器件制造的电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物， 其包含具有含有卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂，所述高分 子化合物是下述(e)表示的化合物，

式中，Ar²和Ar³不相同，分别为苯基、萘基或蒽基，该苯基、萘基 和蒽基可以用羟基、卤原子或者羟基与卤原子这两者来任意取代，q和r 分别表示1以上的整数且q+r表示2至3000的整数，n表示0至3的整数， 该化合物，在含有取代基Ar²的重复单元中含有至少1个卤原子，或在含 有取代基Ar³的重复单元中含有至少1个卤原子，或在含有取代基Ar²的 重复单元中和含有取代基Ar³的重复单元中的两方各含有至少1个卤原子。

2.一种半导体器件的制造方法，其包含以下工序：

形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的工序，所述工序为在具有形成转印 图案的加工对象膜的基板上，涂布包含下述具有含有卤原子的重复单元结 构的高分子化合物和溶剂的形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，进 行烘烤来形成电子束光刻用抗蚀剂下层膜；

电子束光刻用抗蚀剂被覆工序，所述工序为在得到的抗蚀剂下层膜上 被覆电子束光刻用抗蚀剂；和

集成电路元件形成工序，所述工序为对被覆该电子束光刻用抗蚀剂下 层膜和电子束光刻用抗蚀剂的基板照射电子束，进行显影，通过干蚀刻在 基板上转印图象而形成集成电路元件，

其中，所述高分子化合物是下述通式(d)或(e)表示的化合物，

式中，A为苯基、萘基、蒽基、苯甲酰基、萘基羰基或蒽基羰基，该苯 基、萘基、蒽基、苯甲酰基、萘基羰基和蒽基羰基可以用羟基、卤原子或 羟基和卤原子这两者来任意取代，p表示1至3000的整数，n表示0至3 的整数，该化合物其重复单元中含有至少1个卤原子，

式中，Ar²和Ar³不相同，分别为苯基、萘基或蒽基，该苯基、萘基 和蒽基可以用羟基、卤原子或者羟基与卤原子这两者来任意取代，q和r 分别表示1以上的整数且q+r表示2至3000的整数，n表示0至3的整数， 该化合物，在含有取代基Ar²的重复单元中含有至少1个卤原子，或在含 有取代基Ar³的重复单元中含有至少1个卤原子，或在含有取代基Ar²的 重复单元中和含有取代基Ar³的重复单元中的两方各含有至少1个卤原子。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，所述高分子化合物 按照该高分子化合物的总质量至少含有10质量％的卤原子。

4.根据权利要求2或3的任一项所述的半导体器件的制造方法，其中 除了所述高分子化合物和溶剂以外，进一步含有交联剂和交联催化剂。

5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中除了所述高分 子化合物和溶剂以外，进一步含有酸发生剂。

6.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，所述高分子化合物 的重均分子量为500至1000000。

7.一种用于半导体器件制造的光刻工艺中的电子束光刻用抗蚀剂下 层膜的形成方法，其通过将权利要求1所述的形成半导体器件制造的电子 束光刻用抗蚀剂下层膜的组合物涂布于基板上、并进行烘烤而得到。