[发明专利]使用可调谐薄膜滤波器的集成波长可选择光电二极管有效
申请号: | 200880006180.7 | 申请日: | 2008-02-25 |
公开(公告)号: | CN101622716A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
发明(设计)人: | R·穆拉诺;J·F·哈泽尔;W·F·沙夫因;M·劳里;贝·P·王 | 申请(专利权)人: | 宙斯盾光波公司 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 金 晓 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 调谐 薄膜 滤波器 集成 波长 可选择 光电二极管 | ||
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相关申请部分
本申请要求于2007年2月26日的美国临时专利申请序列 号60/891,647的优先权,其题目为“Integrated Wavelength Selectable Photodiode Using a Tunable Filter”。本申请要求于2007年9月10日 的美国临时专利申请序列号60/971,247的优先权,其题目为 “Wavelength Selectable Photodiode Using a Tunable Filter”。美国临 时专利申请序列号60/891,647和美国临时专利申请序列号60/971,247 的整个说明书通过引用合并于此。
技术领域
对带宽的需求促使将光传输系统普及到所有类型的家庭 和公司。单一波长光纤系统可以支持实质的数据速率。但是,比如 HDTV、点播TV节目、因特网电话通信和网真(telepresence)的服 务需要的带宽超出了许多现有网络的能力。本发明涉及集成波长可选 择光电二极管及其对于光纤-到-X(FTTX)业务的应用。光纤-到-X 业务是指将光数据传输扩展到传统上由电通信系统服务的领域,比如 家庭和中小型企业。FTTX系统的实例是光纤-到-家(FTTH),光纤 -到-街头(FTTC)和光纤-到-建筑物。FTTX体系结构还用于某些高 度可靠的光学通信链路,比如雷达塔接口。
附图说明
可以通过参考以下描述连同附图来更好地理解本发明的 方面。在这些图中的相同或类似的元件可以由相同的附图标记指定。 关于这些类似元件的详细描述可以不重复。附图不必成比例。熟练的 工人将理解如下所述的附图仅用于图示了的目的。附图不意在以任意 方式限制本教导的范围。
图1A图示了根据本发明的集成波长可选择光电二极管的 框图。
图1B图示了根据本发明的具有集成发射机131的集成波 长可选择光电二极管的框图。
图1C图示了根据本发明的集成波长可选择光电二极管的 示意图,其包括已经被以如下配置安装的可热调谐滤波器,在所述配 置中,在检测器处获得了减少的热噪声和增加的信噪比。
图1D图示了根据本发明的集成波长可选择光电二极管的 另一实施例的示意图,其包括具有减少的热噪声和增加的信噪比的可 热调谐滤波器。
图2A图示了用于根据本发明的包括模制的反射光学器件 的波长可选择光电二极管的相对低成本的封装的透视图。
图2B图示了在图2A所示的低成本封装中的光纤支架/镜 元件。
图2B-1图示了图2B的光纤支架/镜元件的截面图,其示 出了将光纤/镜元件牢固地保持就位的V型槽结构。
图2B-2示出图2B的光纤/镜元件的顶部截面图。
图2B-3示出图2B的光纤/镜元件的侧面截面图。
图2C图示了可以与如图2A所示的低成本封装一起使用的 隔离物元件的截面图。
图2C-1示出通过图2C所示的隔离物元件的线A-A的截 面图。
图2D图示了可以与如图2A所示的低成本封装一起使用的 集成滤波器芯片的截面图。
图2D-1图示了沿着线A-A的如图2D所示的集成滤波器 芯片的截面图。
图2D-2图示了沿着线B-B的如图2D所示的集成滤波器芯 片的截面图。
图2E图示了可以与低成本封装一起使用的电子设备外壳 的截面图。
图3图示了包括根据本发明的波长可选择光电二极管的可 以向订户提供优质服务的光网络单元的实施例的框图。
图4图示了包括根据本发明的波长可选择光电二极管的可 以提供升级端口以升级订户的服务的光网络单元的另一实施例的框 图。
图5图示了包括根据本发明的波长可选择光电二极管的可 以配置为对称点对点链路的光网络单元的另一实施例的框图。
图6示出除标准广播信道之外向订户提供可选个性化高分 辨率(HD)视频信道的光网络单元的实施例。
图7图示了包括根据本发明的集成波长可选择光电二极管 的可调谐接收器多路复用器。
图8图示了包括根据本发明的集成波长可选择光电二极管 的可调谐双工器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的