[发明专利]电子发射源用膏和电子发射元件无效
| 申请号: | 200880006085.7 | 申请日: | 2008-02-20 |
| 公开(公告)号: | CN101622686A | 公开(公告)日: | 2010-01-06 |
| 发明(设计)人: | 重田和树;井上武治郎;池田笃;后藤一起 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
| 主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02;H01J1/304 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 段承恩;田 欣 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 发射 源用膏 元件 | ||
技术领域
本发明涉及电子发射源用膏和使用该膏的电子发射元件。
背景技术
以碳纳米管(以下称为CNT)为首的具有尖锐的尖端形状和高纵横尺 寸比的碳纳米材料,适合用于场致发射,因此作为场致发射型显示器(FED) 和利用场致发射的液晶用背光源等的电子发射源,进行了很多的开发。使 用CNT的电子发射源,可通过将CNT与粘合剂、溶剂等有机成分混合进 行膏化后,将膏印刷在阴极电极上进行烧成来制作。
CNT为了高效率地进行电子发射,CNT与阴极电极的良好电接触很 重要。然而,由于CNT的杂质、作为有机成分的烧成残留成分的无定形 碳、和为赋予阴极电极与CNT的粘接性而添加的玻璃粉末这些绝缘性成 分的存在,有时妨碍良好的电接触。
因此,曾公开了通过混合银粒子来赋予导电性,希望保持电接触的技 术(参照专利文献1)。另外,出于不使CNT束化而是使其均匀分散的目 的,曾公开了涉及电子源用膏的技术,该电子源用膏是在具有大约100nm 以下的线经的CNT等的针状物质中至少含有粒径为上述CNT等的针状物 质的线径的约10倍以下的金属微粒子或金属氧化物微粒子的膏(专利文献 2)。
然而,专利文献1所公开的技术,根据银粒子的粒径,有时不能良好 地保持CNT与阴极电极的电接触。另外,专利文献2所公开的技术,由 于金属微粒子或具有导电性的金属氧化物的粒径小,因此尚不能得到良好 的电接触。
专利文献1:日本特开2004-504690号公报(第21段落)
专利文献2:日本特开2005-222847号公报(权利要求1、2)
发明内容
本发明着眼于上述课题,其目的是提供通过含有具有最佳范围的粒径 的导电性粒子而能够保持CNT与阴极电极的良好电接触的电子发射源用 膏。
即,本发明是一种电子发射源用膏,该膏含有直径为1nm以上且不到 10nm的碳纳米管、和平均粒径为0.1~1μm的导电性粒子。
根据本发明,可提供通过含有具有最佳范围的粒径的导电性粒子而能 够保持CNT与阴极电极的良好电接触的电子发射源用膏。
具体实施方式
以下对本发明详细地进行说明,CNT不仅物理化学耐久性优异,而且 具有适合于场致发射的曲率小的尖端形状和大的纵横尺寸比。因此,可优 选作为电子发射材料使用。除了CNT以外,也可以使用碳纳米纤维、碳 纳米壁、碳纳米角、碳纳米卷。由于当CNT的直径变大时,作为电子发 射部的尖端的曲率也变大,因此电子发射所需要的施加电压变高,因此含 有直径为1nm以上且不到10nm的CNT很重要。通过含有小于10nm小 的CNT,能够降低电子发射所需要的电压。然而,当小于1nm时,虽然 电子发射容易但容易劣化。更优选CNT的直径是1nm~7nm。通过使之 为7nm以下,能够更降低电子发射所需的电压。CNT的直径可使用透射 型电子显微镜进行测定。
在此,所谓良好的电接触,是指处于电子发射源的上表面的CNT与 阴极电极间的电阻为109Ω以下。据说单层CNT的电阻率为10-2~10-4Ωcm (J.-P.Issi and J.-C.Charlier,Electrical Transport Properties in Carbon Nanotube In The Science and Technology of Carbon Nanotubes,ed.K. Tanaka,T.Yamabe,and K.Fukui,Elsevier,UK,1999),因此直径1nm的 CNT的长度为1μm时,CNT的电阻为105~107Ω。由于也包含长度更长 的CNT;存在无定形碳等绝缘性杂质的影响;以及,存在不同的CNT彼 此的接点和CNT与电极的接点的接触电阻等,因此如果1根上述的CNT 的电阻为107Ω的100倍以下即109Ω,则可以称为良好的电接触。更优选 是107Ω以下。
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