[发明专利]手持的自容式光发射光谱(OES)分析仪有效

专利信息
申请号: 200880005951.0 申请日: 2008-02-22
公开(公告)号: CN101617219A 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: 约翰·E·葛尔特;马克·汉密尔顿;佩莱希夫·斯里萨兰 申请(专利权)人: 塞莫尼根分析技术有限责任公司
主分类号: G01N21/67 分类号: G01N21/67;G01N21/71;G01J3/443;G01J3/28
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 代理人: 韩 龙;阎娬斌
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 手持 容式光 发射光谱 oes 分析
【权利要求书】:

1.一种用于分析样本的一部分的成分的分析仪,包括:

手持的、自容式测试仪器,该仪器用于与所述样本的一部分接触,其包 括:

用于激发所述样本的一部分的激发器,所述激发产生光信号;

布置在手持式仪器的内第一色散元件,用于接收所述光信号并创建 在第一平面内色散的中间光信号,其中所述第一色散元件包括交叉色散棱镜;

布置在所述手持式仪器内的包含衍射光栅的第二色散元件,用于色 散来自第一色散元件的所述中间光信号,从而将第一分辨光学阶置于相应的 第一复数个探测器元件上,并将第二分辨光学阶置于相应的第二复数个探测 器元件上;

处理器,该处理器连接并用于接收来自第一和第二复数个探测器元 件的信号并被编程以处理所述信号;及

为所述激发器和所述处理器供电的电池。

2.如权利要求1所述的分析仪,其中,置于相应的复数个探测器元件上 的所述光学阶中的至少一个延伸至波长小于大约193nm。

3.如权利要求1所述的分析仪,其中,置于相应的复数个探测器元件上 的所述光学阶中的至少一个延伸至波长小于大约178nm。

4.如权利要求1所述的分析仪,其中,置于相应的复数个探测器元件上 的所述光学阶中的至少一个延伸至波长至少与大约170nm一样短。

5.如权利要求1所述的分析仪,其中,每组复数个探测器元件被配置为 接收置于复数个探测器元件上的分辨光学阶的连续光谱范围。

6.如权利要求5所述的分析仪,其中,置于第一和第二复数个探测器元 件上的光谱范围共同至少延伸到大约178nm至大约400nm。

7.如权利要求1所述的分析仪,进一步包括界定孔的结构,所述中间光 信号通过该孔。

8.如权利要求7所述的分析仪,其中,所述光信号聚焦在所述结构上。

9.如权利要求1所述的分析仪,其中,所述激发器包括:

电极,用于保持相对于所述样本的一部分的电位差;及

电压提供装置,用于产生所述电极上的相对于所述样本的一部分的所述 电位差。

10.如权利要求1所述的分析仪,其中,所述激发器包括激光。

11.如权利要求1所述的分析仪,其中,所述衍射光栅是全息衍射光栅, 用于在第一和第二分辨光学阶中提供可比效率。

12.如权利要求1所述的分析仪,其中,

第一复数个探测器元件与第二复数个探测器元件不共平面;及

所述测试仪器还包括位于第一和第二分辨光学阶之一的光路上的镜,该 镜位于第二色散元件和相应的复数个探测器元件之间。

13.如权利要求1所述的分析仪,其中,第一和第二色散元件及第一和 第二复数个探测器元件固定连接到碳填充聚合物结构件上。

14.如权利要求13所述的分析仪,其中,所述碳填充聚合物包括石墨填 充的聚亚苯基硫化物。

15.如权利要求13所述的分析仪,其中,所述碳填充聚合物包括由至少 约40%石墨填充的聚亚苯基硫化物。

16.如权利要求1所述的分析仪,其中,所述处理器被编程以基于观测 到的光谱特征进行自动波长校准。

17.如权利要求1所述的分析仪,其中,第二色散元件提供至少大约5000 的分辨能力。

18.如权利要求1所述的分析仪,其中,第二色散元件提供至少大约10000 的分辨能力。

19.如权利要求1所述的分析仪,进一步包括连接至所述处理器的显示 屏。

20.如权利要求1所述的分析仪,进一步包括连接至所述处理器的铰合 的显示屏。

21.如权利要求1所述的分析仪,其中,所述分析仪在大约190nm时具 有至少大约0.02nm每像素的分辨率。

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