[发明专利]热固化型芯片接合薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及热固化型芯片接合薄膜及具备该芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜(dicing/die bonding film)，更具体而言，涉及在将半导体芯片等芯片接合到衬底或引线框等被粘物上时使用的热固化型芯片接合薄膜及具备该芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。

背景技术

以往，在半导体装置的制造过程中，将半导体芯片固定到引线框或电极构件上时使用银浆。所述固定处理通过在引线框的芯片焊盘(diepad)等上涂布浆状胶粘剂，在其上安装半导体芯片后使浆状胶粘剂层固化来进行。

但是，浆状胶粘剂因其粘度行为或劣化等而在涂布量或涂布形状等方面产生大的偏差。结果，形成的浆状胶粘剂层厚度不均匀，因此，半导体芯片的固定强度缺乏可靠性。即，如果浆状胶粘剂的涂布量不足，则半导体芯片与电极构件间的固定强度降低，在后续的丝焊工序中半导体芯片剥离。另一方面，如果浆状胶粘剂的涂布量过多，则浆状胶粘剂会流延到半导体芯片上而产生特性不良，成品率、可靠性下降。这种固定处理中的问题随着半导体芯片的大型化变得特别显著。因此，需要频繁地进行浆状胶粘剂涂布量的控制，给操作性和生产率带来障碍。

该浆状胶粘剂的涂布工序中，有将浆状胶粘剂另外涂布到引线框或形成芯片上的方法。但是，该方法中，浆状胶粘剂层难以均匀化，另外浆状胶粘剂的涂布需要特殊装置和长时间。因此，公开了在切割工序中对半导体芯片进行胶粘保持，同时还提供装配工序中需要的芯片固定用胶粘剂层的切割/芯片接合薄膜(例如，参照下述专利文献1)。

该切割/芯片接合薄膜是在支撑基材上依次层压粘合剂层和胶粘剂层而构成。即，在通过胶粘剂层的保持下将半导体芯片切割后，对支撑基材进行拉伸而将芯片状工件与胶粘剂层一起剥离，并将其逐个回收。进而，通过胶粘剂层使芯片状工件固定到引线框等被粘物上。

另一方面，作为半导体芯片的固定中使用的芯片接合用胶粘薄膜(芯片接合薄膜)，可以列举例如热固化型芯片接合薄膜。作为该热固化型芯片接合薄膜，从提高其对于以衬底的布线或半导体芯片上的线等为代表的、由表面凹凸引起的高低差大的被粘物的密合性的观点考虑，使用熔融粘度小的胶粘薄膜。

但是，熔融粘度过小时，存在胶粘剂从芯片接合薄膜中渗出，污染衬底、半导体芯片等问题。另一方面，熔融粘度过大时，存在对被粘物的密合性变差而产生空隙的问题。

这种切割/芯片接合薄膜的芯片接合薄膜，由于其制造工序的制约，多数情况下在胶粘剂层(胶粘薄膜)的整个面上形成。但是，这种情况下，由于使划片环与芯片接合薄膜胶粘，因此有时会污染划片环。另一方面，使芯片接合薄膜与工件的形状相符而在粘合剂层上形成与工件相同形状的方法也是已知的。但是，这种情况下，芯片接合时芯片接合薄膜与芯片间、芯片接合薄膜与被粘物间有时产生气泡(空隙)。结果，成为制作的半导体装置产生故障的原因。

因此，为了提高芯片接合时对被粘物的密合性(埋入性)，使用具备表面自由能大的芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。但是，由于表面自由能大，因此与切割薄膜的密合性也提高，由此，存在拾取工序中芯片接合薄膜与切割薄膜无法剥离，从而无法拾取的问题。

专利文献1：日本特开昭60-57342号公报

发明内容

本发明鉴于以上问题而进行，其目的在于提供与被粘物的密合性优良、且拾取性良好的热固化型芯片接合薄膜及具备该芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。

为了解决上述现有问题，本发明人对热固化型芯片接合薄膜及具备该芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜进行了研究。结果发现，通过采用下述构成能够实现上述目的，并且完成了本发明。

即，本发明的热固化型芯片接合薄膜，在制造半导体装置时使用，其特征在于，含有15～30重量％热塑性树脂成分及60～70重量％热固性树脂成分作为主成分，并且热固化前的表面自由能为37mJ/m²以上且小于40mJ/m²。