[发明专利]有机硅涂料组合物

权利要求书

1.一种组合物，其包含：

(a)具有至少一种下式的重复单元的聚合物：

其中R¹是不可水解基团并且n是1-3的整数，

其中该聚合物能够用交联催化剂交联并且其中该聚合物不含 SiOH和SiOR基团，其中R为烷基；和

(b)交联催化剂，该催化剂选自具有式Z⁺A^-的化合物及其水合物， 其中Z是选自三芳基取代的锍、三烷基取代的锍和被芳基和烷基的混 合基团取代的锍的阳离子，和A是含有选自单羧酸盐离子和二羧酸盐 离子的基团的阴离子。

2.权利要求1的组合物，其中不可水解基团选自氢、未取代或取 代的烷基、未取代或取代的单环或多环芳基、未取代或取代的单环或 多环芳烷基、羧基和甲醇。

3.权利要求1的组合物，其中A选自乙酸根、甲酸根、丙酸根、 琥珀酸根、丙二酸根、单丙二酸根和己二酸根。

4.权利要求1的组合物，其中不可水解基团选自氢、未取代或取 代的单环烷基或多环烷基、未取代或取代的单环或多环芳基、未取代 或取代的单环或多环芳烷基、羧基和甲醇。

5.权利要求1的组合物，其中交联剂选自式Z⁺A^-的化合物及其水 合物，其中Z是选自三苯基锍和(4-叔丁基苯基)二苯基锍的阳离子， 和A是含有选自单羧酸根离子和二羧酸根离子的基团的阴离子。

6.权利要求1的组合物，其进一步包含以下的一种或多种：光酸 产生剂、热酸产生剂、表面活性剂和致孔剂。

7.一种在基底上形成图像的方法，其包括a)用权利要求1-6中 任一项的组合物涂覆基底；b)将步骤a)的涂层加热；c)在步骤b) 的涂层上由光致抗蚀剂溶液形成涂层；d)将光致抗蚀剂涂层加热以从 该涂层中基本上除去溶剂；e)将光致抗蚀剂涂层成像式曝光；f)使 用含水碱性显影剂将图像显影；g)任选地，在显影之前和之后加热基 底；和h)将步骤b)的组合物干法蚀刻。

8.权利要求7的方法，其中基底是碳层/硬掩模。

9.权利要求7的方法，其中基底选自Si、SiO₂、SiON、SiN、p-Si、 α-Si、W、W-Si、Al、Cu和Al-Si。

10.一种涂覆的基底，其包括在其上具有以下的基底；权利要求 1-6中任一项的组合物的层；和该组合物之上的正性光致抗蚀剂组合 物的层。

11.权利要求10的涂覆的基底，其中基底是碳层/硬掩模。

12.权利要求10的涂覆的基底，其中基底选自Si、SiO₂、SiON、 SiN、p-Si、α-Si、W、W-Si、Al、Cu和Al-Si。

13.一种制备如权利要求1中定义的聚合物的方法，其包括使一 种或多种具有式R¹_mSi(X)_4-m的单体反应以形成具有Si-OH和Si-OR¹基 团两者的聚合物，其中每一R¹独立地是未取代或取代的烷基或者未取 代或取代的芳基，X是卤素或OR¹，和m是0-3的整数；将所述具有Si-OH 和Si-OR¹基团两者的聚合物水解以形成仅具有Si-OH基团的聚合物； 和使所述仅具有Si-OH基团的聚合物与封端剂反应直到该聚合物中不 存在Si-OH基团。

14.权利要求13的方法，其中封端剂选自具有式R^a₃Si(R^b)的化合 物，其中每一R^a独立地是未取代或取代的烷基或者未取代或取代的芳 基，并且R^b是OR^a或卤素，和具有式(R₁₀)₃Si-Y-Si(R₁₀)₃的化合物，其 中每一R₁₀选自未取代或取代的C_1-4烷基和未取代或取代的C_1-4烷氧基， 和Y是选自-O-和-NR₁₁-的连接基团，其中R₁₁是氢或者C_1-10未取代和取 代的支化或直链烷基。