[发明专利]薄片状化合物

说明书

技术领域

本发明涉及薄片状化合物。详细地，涉及用于导电膜的薄片状化合 物。

背景技术

人们研究了薄片状化合物的各种各样的用途，例如，日本特开 2001-270022号公报中记载了将层状钛酸化物微晶剥离得到薄片状化合 物，将该薄片状化合物用作紫外线遮蔽材料。

但是，公报记载的薄片状化合物作为导电材料不理想。

发明内容

本发明的目的在于提供用于导电膜的薄片状化合物。

本发明人为了解决上述课题进行了深入研究，结果完成了本发明。 即，本发明提供(1)～(7)；

(1)薄片状化合物，其具有包含M(M为至少一种金属元素)和 O的导电性层。

(2)(1)所述的薄片状化合物，其中，M为含有显示混合化合价 的至少一种过渡金属元素的元素。

(3)(2)所述的薄片状化合物，其中，M为含有显示3价和4价 的Ti的元素。

(4)(3)所述的薄片状化合物，其中，导电性层包含Ti、金属元 素M¹(M¹为选自Nb、Ta、Mo、W和Ru中的至少一种)和O，M¹/Ti 的摩尔比超过0且为1以下。

(5)(3)所述的薄片状化合物，其中，导电性层为氧缺损型 (酸素欠損型)TiO₂。

(6)(1)～(5)中任一项所述的薄片状化合物，其还具有含有 选自碱金属元素和碱土金属元素中的至少一种的层。

(7)导电膜，其包含上述(1)～(6)中任一项所述的薄片状化 合物。

具体实施方式

本发明的薄片状化合物具有包含M和O的导电性层。M为至少一 种金属元素。

薄片状化合物是通常具有约0.5nm～约1μm的厚度、长径除以厚 度得到的值(长径/厚度)为约100以上的薄片状化合物。厚度、长径可 以用扫描型电子显微镜(SEM)、透射型电子显微镜(TEM)测定。

导电性层通常厚度为原子尺寸级别的，例如为约0.5nm～约5nm。 薄片状化合物可以具有1层以上这样的导电性层。导电性层包含M和O， 适当选择M，使得导电性层显示导电性。作为M，可列举Sn、Sn和Sb、 In和Sn、Zn和Al、Cu和La等单独金属元素或这些组合。M优选含有 显示混合化合价的至少一种过渡金属元素(例如，Mn、Ti、Cu、Ni、 Fe、Co等)，从容易形成层状的角度考虑，更优选含有显示3价和4 价的Ti。M为含有显示3价和4价的Ti的元素时，作为合适的导电性 层，可列举包含Ti、金属元素M¹(M¹为选自Nb、Ta、Mo、W和Ru 中的至少一种)和O，M¹/Ti的摩尔比超过0且为1以下的层。从使得 薄片状化合物更适合用于导电膜的角度考虑，作为M¹，优选Nb或Ta。 另外，M¹/Ti的摩尔比优选为0.05～0.5，更优选为0.1～0.25。M为含有 显示3价和4价的Ti的元素时，作为合适的导电性层，可列举包含氧缺 损型TiO₂的层。氧缺损型TiO₂具体可用TiO_2-δ(δ超过0且小于0.5) 表示。从使得薄片状化合物更适合用于导电膜的角度考虑，δ优选超过 0且为0.25以下。

薄片状化合物还可以具有含有碱金属元素、碱土金属元素，优选碱 金属的层。这些可以单独或组合。

下面，对薄片状化合物的制备方法进行说明。薄片状化合物例如使 用具有导电性层的化合物作为原料形成层，并剥离层的方法；使用具有 没有导电性的层的化合物作为原料形成层，剥离层后，对层赋予导电性 的方法等制备。以下，将作为优选实施方式的薄片状化合物中的M含有 显示3价和4价的Ti的情况作为例子，说明其制备方法。

导电性层包含氧缺损型TiO₂时，薄片状化合物可通过依次含有工序 (A1)、(A2)的方法制备。

(A1)使用具有包含Ti和O的层的化合物(以下称为化合物A) 作为原料，进行化学处理，剥离薄片状化合物、

(A2)将所剥离的薄片状化合物进行还原处理。