[发明专利]低损耗铁氧体及使用其的电子零件有效
| 申请号： | 200880004069.4 | 申请日： | 2008-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN101668719A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 田中智;橘武司 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/30 | 分类号： | C04B35/30;H01F1/34;H01F27/255 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱 丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 损耗 铁氧体 使用 电子零件 | ||
【权利要求书】：
1.一种低损耗铁氧体，其特征是，相对于由47.1～49.3摩尔％的Fe2O3、20～26摩尔％的ZnO、6～14摩尔％的CuO及余量为NiO构成的主成分100质量％，含有以SnO2换算为0.1～2质量％的Sn、和以Mn3O4换算为0.05～2质量％的Mn，平均晶粒直径为0.5～3μm。
2.根据权利要求1所述的低损耗铁氧体，其特征是，在2MHz的频率和33mT的工作磁通密度Bm下，铁心损耗为2700kW/m3以下，在5MHz的频率和10mT的工作磁通密度Bm下，铁心损耗为430kW/m3以下，在4000A/m的磁场中的饱和磁通密度为390mT以上。
3.一种电子零件，其特征是，具有：使用了权利要求1或2所述的低损耗铁氧体的磁心；和缠绕在该磁心上的线圈。
4.一种电子零件，其特征是，具有：由使用了权利要求1或2所述的低损耗铁氧体的多个铁氧体层构成的一体烧结的层叠体；和设置在上述层叠体的内部的由含Ag的电极构成的线圈。
5.根据权利要求4所述的电子零件，其特征是，封装有含开关元件的半导体元件、电容器元件和电阻元件，至少上述半导体元件封装在设置在上述层叠体表面上的电极上。
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