[发明专利]电致发光的有机半导体元件和用于检修电致发光的有机半导体元件的方法无效
| 申请号: | 200880003526.8 | 申请日: | 2008-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN101595578A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
| 发明(设计)人: | 马库斯·克莱因;蒂尔曼·施伦克尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 炜;许伟群 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电致发光 有机半导体 元件 用于 检修 方法 | ||
1.一种电致发光的有机半导体元件,包括:
-衬底(6);
-设置在衬底(6)上的第一电极(2);
-第二电极(3);
-至少一个有机层(1),所述至少一个有机层设置在第一电极(2)和 第二电极(3)之间并且包括通过载流子复合而产生光的层;
其中第一电极和第二电极(2,3)中的至少一个电极包括高导电性的 有机部分层(21,31)。
2.根据权利要求1所述的半导体元件,其中第一电极(2)和/或第二 电极(3)构建为用于将不同类型的载流子平面地输送至有机层(1)。
3.根据权利要求1至2中任一项所述的半导体元件,其中至少一个 高导电性的有机部分层(21,31)包括如下材料中的至少一种:
-聚合物;
-小分子;
-掺杂的聚合物;
-掺杂的小分子;
-PEDOT:PSS;
-PANI:PSS;
-ZnPc/F4-TCNQ;
-MeO-TPD/F4-TCNQ;
-BEDT-TTF。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体元件,其中所述至少 一个高导电性的有机部分层(21,31)具有以金属或者有机盐或者无机盐 掺杂的聚合物或者掺杂的小分子。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体元件,还包括:第二 导电部分层(22),第二导电部分层包括金属化层并且被施加在高导电性 的有机部分层(21)与衬底(6)之间或者施加到第二电极(3)上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体元件,其中衬底(6) 和第一电极(2)对于通过所述至少一个有机层(1)产生的光的波长是至 少部分透明的。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体元件,其中第二电极 (3)对于通过所述至少一个有机层(1)产生的光的波长是至少部分透明 的。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体元件,其中至少一个 电极的高导电性的有机部分层(21,31)具有大于0.1S/cm的导电性。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体元件,其中至少一个 第一电极还包括第二导电部分层(34,32,22),该第二导电部分层相对 于高导电性的有机部分层(21,31)具有不同的导电性。
10.根据权利要求9所述的半导体元件,其中第二导电部分层(34, 32)包括掺杂的有机材料。
11.根据权利要求9至10中任一项所述的半导体元件,其中高导电 性的有机部分层(21,31)具有第一导电类型,而第二导电部分层(34) 具有第二导电类型,该第二导电类型与第一导电类型不同。
12.根据权利要求9所述的半导体元件,其中第二导电部分层(34, 32)包括无机材料、尤其是金属。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的半导体元件,其中第二导 电部分层(22,32,34)设置在高导电性的有机部分层(31,21)与所述 至少一个有机层(1)之间。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的半导体元件,其中所述至 少一个电极具有高导电性的总线电极(5,4)、尤其是金属,总线电极施 加到高导电性的有机部分层(21,31)上。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的半导体元件,其中第一电 极和第二电极(2,3)分别具有高导电性的有机部分层(21,31),在该 部分层上分别施加有金属总线电极(5,4)。
16.根据权利要求14至15中任一项所述的半导体元件,其中金属总 线电极(5,4)具有多个基本上平行地在高导电性的有机部分层(21,31) 上走向的导体区段(47,57)。
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