[发明专利]包括电迁移防护膜的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200880002910.6 | 申请日： | 2008-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101589467A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 河野一郎;若林猛;三原一郎 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王琼先;王永建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包括 迁移 防护 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置制造方法，包括：
在半导体衬底的上方形成保护膜；
形成设置在保护膜上的多个布线；
在布线的连接焊盘部分上形成柱状电极；
在布线的表面上、在柱状电极的表面上以及在保护膜上形成电迁移防 护膜；
在电迁移防护膜上形成包括二氧化硅的密封膜；以及
研磨包括在柱状电极的上表面上形成的电迁移防护膜的密封膜的上表 面一侧来将其去除，以露出柱状电极的上表面和形成在柱状电极的外周表 面上的电迁移防护膜的上表面，使柱状电极的上表面和密封膜的上表面基 本上处于一个平面。
2.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其特征在于，由包括铜 的金属制成布线，并且由铜制成柱状电极。
3.如权利要求1所述的半导体装置制造方法，其特征在于，电迁移防 护膜由聚酰亚胺树脂或PBO树脂构成，密封膜由环氧树脂构成。
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