[发明专利]电子元件无效

申请号：	200880002906.X	申请日：	2008-01-09
公开（公告）号：	CN101589466A	公开（公告）日：	2009-11-25
发明（设计）人：	R·菲克斯;O·沃尔斯特;A·马丁	申请（专利权）人：	罗伯特·博世有限公司
主分类号：	H01L23/482	分类号：	H01L23/482;H01L21/28;H01L29/49
代理公司：	中国专利代理(香港)有限公司	代理人：	李少丹;刘春元
地址：	德国斯***	国省代码：	德国;DE
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摘要：
搜索关键词：	电子元件
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【权利要求书】：

1.在由半导体材料构成的衬底(3)上具有金属层(9)的电子元件，其特征在于，在该金属层(9)与该衬底(3)之间构造有扩散阻断层(7)，该扩散阻断层由一种材料来制造，该材料对于该金属层(9)的金属具有小的扩散系数，其中该金属层(9)是有孔隙的，该电子元件被用作气体传感器，该扩散阻断层相对于环境是化学稳定的，并且该扩散阻断层为测量气体或测量气体的分解物或反应物提供吸附位置。

2.根据权利要求1所述的电子元件，其特征在于，该扩散阻断层(7)是无孔隙的。

3.根据权利要求1或2所述的电子元件，其特征在于，该扩散阻断层(7)由导电的材料来制造。

4.根据权利要求1或2所述的电子元件，其特征在于，该扩散阻断层(7)的材料是硅化物、氮化硅钛或氮化硅钨。

5.根据权利要求4所述的电子元件，其特征在于，该硅化物是硅化钽或硅化钨。

6.根据权利要求1或2所述的电子元件，其特征在于，该衬底(3)的半导体材料是氮化镓。

7.根据权利要求1或2所述的电子元件，其特征在于，该金属层(9)的材料是元素周期表第9、10或11族的金属或由这些金属的至少两种组成的混合物。

8.根据权利要求1或2所述的电子元件，其特征在于，该金属层(9)的材料是铂、钯、铱、金、银、铑或者这些金属的至少两种组成的混合物。

9.根据权利要求1或2所述的电子元件，其特征在于，在该衬底(3)与该金属层(9)之间另外还容纳有电绝缘层(5)。

10.根据权利要求9所述的电子元件，其特征在于，该电绝缘层(5)由Si₃N₄制造。

11.根据权利要求1或2所述的电子元件，其特征在于，该金属层(9)是电极。

12.根据权利要求1或2所述的电子元件，其特征在于，在该扩散阻断层(7)上敷设有附加的保护层。

13.根据权利要求12所述的电子元件，其特征在于，用于所述附加的保护层的材料是Si₃N₄。