[发明专利]聚合物基底的耐久透明涂层

权利要求书

1.聚合物基底(14)的双涂层，所述涂层被构造来增强所述基底(14)的耐久性，其包括：

第一聚硅氧烷基涂层(18)，其覆盖所述基底的第一表面(16)的至少一部分；和

第二硅基涂层(20)，其覆盖所述第一涂层的至少一部分；

其中所述第一涂层(18)厚度在大约0.1到10微米之间，硬度在大约100MPa到500MPa之间，并且模量在大约1GPa到9GPa之间；并且

所述第二涂层(20)厚度在大约0.1到10微米之间，硬度在大约100MPa到4GPa之间，并且模量在大约8GPa到20GPa之间。

2.权利要求1所述的双涂层，其中所述第一涂层(18)厚度在大约2到8微米之间，硬度在大约200MPa到400MPa之间，并且模量在大约3GPa到7GPa之间，并且所述第二涂层(20)厚度在大约2到8微米之间，硬度在大约1GPa到3GPa之间，并且模量在大约11GPa到17GPa之间。

3.权利要求1所述的双涂层，其中所述第一涂层(18)厚度在大约3到5微米之间，硬度大约300MPa，并且模量大约5GPa，并且所述第二涂层(20)厚度在大约4到6微米之间，硬度大约2GPa，并且模量大约14GPa。

4.权利要求1所述的双涂层，其中所述基底(14)由选自下列的至少一种材料构造：聚碳酸酯、丙烯酸、拉伸丙烯酸和树脂基结构塑料。

5.权利要求1所述的双涂层，其中所述第二涂层(20)包括SiO_xC_y基材料，其中x为1.0至1.2，并且y为1.0至0.8。

6.权利要求1所述的双涂层，其中所述第二涂层(20)利用基于等离子体的技术沉积在所述第一涂层(18)上。

7.在聚合物基底(14)上形成双涂层的方法，所述涂层被构造来增强所述基底(14)的耐久性，所述方法包括：

将第一相对软的聚硅氧烷基涂层(18)沉积在所述基底(14)的第一表面(16)的至少一部分上；和

将第二相对硬的硅基涂层(20)沉积在所述第一涂层(18)的至少一部分上；

其中所述第一涂层(18)厚度在大约0.1到10微米之间，硬度在大约100MPa到500MPa之间，并且模量在大约1GPa到9GPa之间；并且

所述第二涂层(20)厚度在大约0.1到10微米之间，硬度在大约100MPa到4GPa之间，并且模量在大约8GPa到20GPa之间。

8.权利要求7所述的方法，其中所述第一涂层(18)厚度在大约2到8微米之间，硬度在大约200MPa到400MPa之间，并且模量在大约3GPa到7GPa之间，并且所述第二涂层(20)厚度在大约2到8微米之间，硬度在大约1GPa到3GPa之间，并且模量在大约11GPa到17GPa之间。

9.权利要求7所述的方法，其中所述第一涂层(18)厚度在大约3到5微米之间，硬度大约300MPa，并且模量大约5GPa，并且所述第二涂层(20)厚度在大约4到6微米之间，硬度大约2GPa，并且模量大约14GPa。

10.权利要求7-9中任一项所述的方法，其中所述基底(14)由选自下列的至少一种材料构造：聚碳酸酯、丙烯酸、拉伸丙烯酸和树脂基结构塑料。

11.权利要求7-10中任一项所述的方法，其中所述第二涂层包括SiO_xC_y基材料，其中x为1.0至1.2，并且y为1.0至0.8。

12.权利要求7-11中任一项所述的方法，其中沉积所述第二涂层的步骤包括基于等离子体的技术。

13.权利要求7-12中任一项所述的方法，其进一步包括在进行沉积所述第二涂层的步骤之前清洗所述第一涂层和所述基底以去除污染物。

14.权利要求13所述的方法，其中所述清洗步骤包括在溶剂和/或含水洗涤剂中进行超声清洗。

15.权利要求13所述的方法，其中所述清洗步骤包括利用惰性离子和/或氧离子在真空环境中进行溅射清洗。