[发明专利]电路部件连接用粘接剂及使用该粘接剂的半导体装置无效
| 申请号: | 200880001881.1 | 申请日: | 2008-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN101578698A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
| 发明(设计)人: | 永井朗 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;C09J9/02;C09J11/04;C09J201/00;H01B5/16 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟 晶 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电路 部件 连接 用粘接剂 使用 粘接剂 半导体 装置 | ||
1.一种电路部件连接用粘接剂,其介于具有突出的连接端子的半导体芯片和形成有配线图案的基板之间,通过加压、加热,电连接相对的所述连接端子和所述配线图案的同时粘接所述半导体芯片和所述基板;
所述电路部件连接用粘接剂包括树脂组合物和分散在该树脂组合物中的复合氧化物粒子,所述树脂组合物含有热塑性树脂、交联性树脂和使该交联性树脂形成交联结构的固化剂,
所述电路部件连接用粘接剂在180℃加热20秒钟后以差示扫描量热计测定的反应率为80%以上。
2.根据权利要求1所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述树脂组合物和所述复合氧化物粒子的折射率差为±0.06范围内。
3.根据权利要求1所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述复合氧化物粒子是由含有选自铝和镁中的至少一种金属元素以及该金属元素以外的金属元素或准金属元素的氧化物所构成的粒子。
4.根据权利要求2所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述复合氧化物粒子是由含有选自铝和镁中的至少一种金属元素以及该金属元素以外的金属元素或准金属元素的氧化物所构成的粒子。
5.根据权利要求3所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述准金属元素为硅元素和/或硼元素。
6.根据权利要求4所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述准金属元素为硅元素和/或硼元素。
7.根据权利要求1所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述复合氧化物粒子为比重4以下的由复合氧化物所构成的粒子。
8.根据权利要求1所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述复合氧化物粒子为平均粒径15μm以下的复合氧化物粒子。
9.根据权利要求2所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述复合氧化物粒子为平均粒径15μm以下的复合氧化物粒子。
10.根据权利要求3所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述复合氧化物粒子为平均粒径15μm以下的复合氧化物粒子。
11.根据权利要求4所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述复合氧化物粒子为平均粒径15μm以下的复合氧化物粒子。
12.根据权利要求5所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述复合氧化物粒子为平均粒径15μm以下的复合氧化物粒子。
13.根据权利要求6所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述复合氧化物粒子为平均粒径15μm以下的复合氧化物粒子。
14.根据权利要求7所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述复合氧化物粒子为平均粒径15μm以下的复合氧化物粒子。
15.根据权利要求1所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述电路部件连接用粘接剂在未固化时的可见光平行透射率为15~100%。
16.根据权利要求2所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述电路部件连接用粘接剂在未固化时的可见光平行透射率为15~100%。
17.根据权利要求3所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述电路部件连接用粘接剂在未固化时的可见光平行透射率为15~100%。
18.根据权利要求4所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述电路部件连接用粘接剂在未固化时的可见光平行透射率为15~100%。
19.根据权利要求5所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述电路部件连接用粘接剂在未固化时的可见光平行透射率为15~100%。
20.根据权利要求6所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述电路部件连接用粘接剂在未固化时的可见光平行透射率为15~100%。
21.根据权利要求7所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述电路部件连接用粘接剂在未固化时的可见光平行透射率为15~100%。
22.根据权利要求8所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述电路部件连接用粘接剂在未固化时的可见光平行透射率为15~100%。
23.根据权利要求9所述的电路部件连接用粘接剂,其中,所述电路部件连接用粘接剂在未固化时的可见光平行透射率为15~100%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





