[发明专利]制造磁记录介质的方法

说明书

技术领域

本发明的一个实施例涉及一种制造磁记录介质的方法。

背景技术

近年来，对于安装到硬盘驱动器(HDD)中的磁记录介质，存在这样的切实问题，即磁道密度的提高受到相邻磁道之间的干扰的阻碍。特别地，降低由来自写头的磁场的边缘效应引起的写入模糊是一个重要的问题。

为了解决该问题，提出了离散磁道型构图的介质(DTR介质)，其中记录磁道物理分离。在DTR介质中，可以减少当记录信息时相邻磁道的信息被擦除的侧擦除现象和当再现信息时相邻磁道的信息被读出的侧读取现象，使得可以提高磁道密度。因此，DTR介质被预期是能够提供高记录密度的磁记录介质。

为了利用浮动头(flying head)执行DTR介质的读取和写入，优选平坦化DTR介质的表面。具体地，为了使相邻磁道完全分离，例如，去除厚度为约4nm的保护层和厚度为约20nm的磁记录层，以形成深度为约24nm的凹陷，从而形成磁图形。同时，如果残留深的凹陷，由于对浮动头的浮动高度的设计值为约10nm，因此头浮动不稳定。为此，用非磁性材料填充磁图形之间的凹陷，以使介质表面平坦化，从而确保头的浮动稳定性。

提出了以下方法，以通过用非磁性材料填充磁图形之间的凹陷来提供具有平坦表面的DTR介质。例如，已知一种制造具有平坦表面的DTR介质的方法，其中通过两步偏置溅射工艺用非磁性材料填充磁图形之间的凹陷(参见日本专利No.3,686,067)。然而，要求在偏置溅射中在基底的背表面上设置冷却机构，这使得难以执行对两个表面的同时处理。

因此，为了平坦化DTR介质的表面，提出一种在磁图形之间的凹陷中以及在磁图形上沉积非磁性材料且回蚀刻该非磁性材料的方法。在回蚀刻工艺中，利用在磁图形上的非磁性材料的侧蚀刻。然而，在磁图形的宽度大的区域中，例如，在外周侧上的地址部分中，通过侧蚀刻的平坦化效果很小，因此，有必要重复沉积非磁性材料和回蚀刻非磁性材料许多次。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：在基底上沉积磁记录层和牺牲层；构图所述牺牲层和磁记录层，以形成凸出的磁图形和牺牲图形；在所述磁图形和牺牲图形之间的凹陷中以及在所述牺牲图形上沉积非磁性材料；以及回蚀刻所述非磁性材料。

附图说明

图1是沿圆周方向根据本发明的一个实施例的DTR介质的平面图；

图2A至2I是示出根据本发明的一个实施例的DTR介质的制造方法的截面图；以及

图3A至3C是更详细示出图2H的工艺的截面图。

具体实施方式

下文中将参考附图说明根据本发明的各个实施例。

图1是沿圆周方向根据本发明的一个实施例的DTR介质的平面图。如图1中所示，沿着DTR介质1的圆周方向交替形成伺服区2和数据区3。伺服区2包括前导码部分(preamble section)21、地址部分22和脉冲部分(burst section)23。数据区3包括离散磁道31。

将参考图2A至2I说明根据本发明的该实施例制造DTR介质的方法。这里，为了示例简化，示出在基底的一个表面上执行加工的情况。

在玻璃基底51上，顺序沉积厚度为120nm的由CoZrNb制成的软磁性衬层(underlayer)52、厚度为20nm的由Ru制成的用于取向控制的衬层(未示出)、厚度为20nm的由CoCrPt-SiO₂制成的磁记录层53、厚度为4nm的由碳(DLC)制成的保护层54、以及例如由Ru形成的牺牲层55(图2A)。