[发明专利]光学记录介质及其制造方法无效
| 申请号： | 200880000368.0 | 申请日： | 2008-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN101541554A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 酒井武光;池田悦郎;佐飞裕一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | B41M5/26 | 分类号： | B41M5/26;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/254;G11B7/257;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有无机记录膜的光学记录介质，其特征在于，
所述光学记录介质包括相邻于所述无机记录膜的透明导电膜，
其中所述无机记录膜具有
含有钛(Ti)的第一记录膜；和
含有锗(Ge)的氧化物的第二记录膜，并且
所述透明导电膜设置在所述第二记录膜一侧。
2.根据权利要求1所述的光学记录介质，其特征在于，所述透明导电膜含有锡(Sn)的氧化物和铟(In)的氧化物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的光学记录介质，其特征在于，所述第二记录膜还含有锡(Sn)。
4.根据权利要求1所述的光学记录介质，其特征在于，所述透明导电膜的厚度为1至5nm。
5.一种具有无机记录膜的光学记录介质的制造方法，其特征在于包括如下步骤：
形成含有钛(Ti)的第一记录膜；
形成相邻于所述第一记录膜且含有锗(Ge)的氧化物的第二记录膜；以及
形成相邻于所述第二记录膜的透明导电膜。
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