[发明专利]研磨浆料、制备研磨浆料的方法、氮化物晶体材料以及氮化物晶体材料的表面研磨方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种可适用于氮化物晶体的表面研磨的研磨浆料，以及其制备方法。

背景技术

可用于例如发动机的滑动零件等的氮化物陶瓷部件的类型包括由Si₃N₄晶体、AlN晶体、TiN晶体、GaN晶体等组成的烧结体。在本发明中，术语“晶体”包括单晶体和多晶体，并且以下同样适用。这些由晶体组成的烧结体形成具有所期望的形状。所形成的物体被研磨以具有平坦、光滑的表面。由此制成滑动零件。

形成用作半导体器件衬底的晶片的晶体类型包括绝缘性晶体(如SiO₂晶体)及半导体晶体(如硅晶体和氮化物晶体)。这些晶体都被切割成具有所期望的形状。切割后的晶体被研磨以具有平坦、光滑的表面。由此制成衬底。

例如，已公布的日本专利申请特开2003-306669(专利文献1)提出了用于氧化物晶体(如SiO₂晶体)的表面研磨的研磨浆料。一种由水、研磨粒子以及研磨促进剂组成的研磨浆料被提议作为上述浆料。该研磨促进剂由有机酸或有机酸的盐制成，并且所述浆料呈酸性。已公布的日本专利申请特开2001-035819(专利文献2)提出了用于硅晶体的表面研磨的研磨浆料。一种研磨浆料被提出作为上述浆料，在所述研磨浆料中，分别由磨粒和粘结剂组成的结合体粒子分散在液体中。

然而，至于上述的氮化物晶体，因为该晶体很大程度上是化学稳定的，所以还未获得用于有效地研磨该晶体表面的研磨浆料。

专利文献1：已公布的日本专利申请特开2003-306669

专利文献2：已公布的日本专利申请特开2001-035819。

发明内容

本发明要解决的问题

考虑到上面描述的目前的情况，本发明的目的是不仅提供一种用于有效地研磨氮化物晶体表面的研磨浆料以及其制备方法，而且提供一种通过使用上述研磨浆料研磨氮化物晶体表面的方法。

解决问题的手段

本发明提供了一种用于氮化物晶体表面研磨的研磨浆料。所述研磨浆料包括氧化物磨粒，选自阴离子性有机分散剂和无机分散剂的至少一种分散剂，以及氧化剂。该研磨浆料具有小于7的pH值。

本发明的研磨浆料可既包含阴离子性有机分散剂又包含无机分散剂作为分散剂。氧化物磨粒可具有高于研磨浆料的pH值的等电点。氧化物磨粒可由选自TiO₂、Fe₂O₃、Fe₃O₄、NiO、CuO、Cr₂O₃、SiO₂、Al₂O₃、MnO₂和ZrO₂的至少一种氧化物组成。阴离子性有机分散剂可具有-COOM基团，其中M代表H、NH₄或金属元素。无机分散剂可为选自Ca(NO₃)₂、NaNO₃、Al(NO₃)₃、Mg(NO₃)₂、Ni(NO₃)₂、Cr(NO₃)₃、Cu(NO₃)₂、Fe(NO₃)₂、Zn(NO₃)₂、Mn(NO₃)₂、Na₂SO₄、Al₂(SO₄)₃、MgSO₄、NiSO₄、Cr₂(SO₄)₃、CuSO₄、FeSO₄、ZnSO₄、MnSO₄、Na₂CO₃、NaHCO₃、Na₃PO₄、CaCl₂、NaCl、AlCl₃、MgCl₂、NiCl₂、CuCl₂、FeCl₂、ZnCl₂和MnCl₂的至少一种。