[发明专利]通过红外线透射进行基板温度测量

权利要求书

1.一种用于在一热处理过程中测量一基板温度的设备，包括：

一可抽真空的腔室；

一基板加热器，使之定位成加热位于该腔室中的一基板；以及

一传感器，使之定位成在该基板加热器加热该基板时接收穿透该基板的能量，其中该传感器被配置成侦测一透射度的度量表示。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，该基板加热器为一个灯或多个灯。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，该基板加热器为一个经加热的机械手臂叶片，该机械手臂叶片被配置成将该基板转移到该腔室的内部或外部。

4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，该基板加热器为一设置在该腔室中的基板支撑件。

5.如权利要求1所述的设备，更包括：

一光学准直仪，被置于该基板与该传感器之间。

6.如权利要求5所述的设备，更包括：

一光学导管，其中该光学准直仪被定位成收集以一预定角度入射至该基板上且进入该光学导管的能量。

7.如权利要求5所述的设备，更包括：

一滤光器，设置于该光学准直仪与该传感器之间。

8.如权利要求2所述的设备，其特征在于，该灯组件提供其波长介于约400nm～约14000nm之间的红外光。

9.如权利要求1所述的设备，其特征在于，该腔室为一加载锁定室、一传输室及一处理室中的至少一种。

10.如权利要求1所述的设备，其特征在于，该腔室为一设置在一处理系统中的加载锁定室。

11.一种在一热处理过程中测量一基板温度的方法，包括：

加热一设置在一腔室中的基板；

在加热过程中侦测该基板的透射度的改变；以及

基于该透射度的改变而判定该基板的温度。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，加热该基板的步骤更包括：

在一加载锁定室中加热该基板。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于，加热该基板的步骤更包括：

在一经加热的机械手臂叶片上加热该基板。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，加热该基板的步骤更包括：

在一处理室中加热该基板。

15.如权利要求11所述的方法，其特征在于，加热该基板的步骤更包括：

在一真空环境下加热该基板。

16.如权利要求11所述的方法，其特征在于，加热该基板的步骤更包括：

在侦测过程中，向该基板提供一恒定量的能量。

17.如权利要求17所述的方法，其特征在于，侦测透射度的改变的步骤更包括：

使穿透该基板的光线通过一光线准直仪而到达一传感器。

18.如权利要求11所述的方法，其特征在于，加热该基板的步骤更包括：

用光线加热该基板，而该光线的一部分被用于测量透射度的改变。

19.如权利要求11所述的方法，其特征在于，侦测透射度的改变的步骤更包括：

感测通过该基板的、具有以约1200nm为中心的约10nm的波带的红外光。

20.如权利要求11所述的方法，更包括：

在加热该基板之前，用含卤素成分处理该基板。

21.一种用于在一热处理过程中测量一基板温度的方法，包括：

在存在有一含卤素成分中处理一基板；

将该基板转移至一设置在可抽真空的腔室中的底座上，该腔室具有一灯组件；

用该灯组件所提供的红外光加热该基板；

侦测一透射该基板的红外光；以及

基于该透射光而计算基板温度。

22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，侦测红外光的步骤更包括：

引导该透射光通过一光学导管而到达一传感器。

23.如权利要求21所述的方法，更包括：

在加热过程中从该基板表面移除该含卤素成分。