[发明专利]熔丝单元及其编程方法

权利要求书

1.一个集成电路里的熔丝单元，包括：

串联的第一熔丝结构和第二熔丝结构；

一个编程节点，被连接到所述第一熔丝结构和所述第二熔丝结构的公共端；和

至少一个电路部件，与所述串联的第一熔丝结构和第二熔丝结构并联；

第一开关和第二开关，分别连接所述第一熔丝结构和所述第二熔丝结构的另一端到一个电压基准；

通过闭合所述第一开关和所述第二开关，并随后施加一个编程电压到所述编程节点，所述熔丝单元是可运作被烧断的。

2.根据权利要求1所述的熔丝单元，其中所述编程节点被连接到熔丝焊盘以便施加外部编程电压。

3.根据权利要求2所述的熔丝单元，还包括第三开关，用来连接所述编程节点到所述熔丝焊盘。

4.一种具有依照权利要求3所述的多个熔丝单元的熔丝链，其中所述第三开关连接每个所述熔丝单元的相应编程节点到一个或多个熔丝焊盘。

5.根据权利要求1所述的熔丝单元，其中所述编程节点被连接到产生编程电压的晶片上电路（on-chip circuit）的输出。

6.一种具有依照权利要求1所述的多个熔丝单元的熔丝链，还包括一个或多个逻辑电路以控制所述第一开关和所述第二开关，用来选择将被烧断的期望熔丝单元。

7.根据权利要求1所述的熔丝单元，其中所述第一熔丝结构和所述第二熔丝结构选自：多晶硅熔丝、单金属熔丝或熔透型（fusion-type）金属熔丝。

8.根据权利要求1所述的熔丝单元，其中所述第一开关和所述第二开关是开关电路，其包括电子器件选自：双极型结型晶体管（BJT）、面结型FET（JFET）、绝缘栅极FET（IGFET）、金属氧化物半导体FET（MOSFET）。

9.根据权利要求1所述的熔丝单元，其中所述电压基准是所述集成电路的基础。

10.一个用于电路参数微调的集成电路，包括：

串联的第一熔丝结构和第二熔丝结构；

一个编程节点，被连接到所述第一熔丝结构和所述第二熔丝结构的公共端；和

第一开关和第二开关，分别连接所述第一熔丝结构和所述第二熔丝结构的另一端到一个电压基准；

至少一个电路部件，与所述串联的第一熔丝结构和第二熔丝结构并联；

其中在使用时，通过闭合所述第一开关和所述第二开关，并随后施加一个编程电压到所述编程节点，所述第一和第二熔丝结构被烧断，使得所述集成电路实质上显示所述电路部件的电特征。

11.在集成电路里编程一个或多个熔丝单元的方法，包括以下步骤：

提供一个或多个熔丝单元，每个单元都有串联的第一熔丝结构和第二熔丝结构；其中所述提供一个或多个熔丝单元的步骤还包括步骤：对应每个所述熔丝单元提供至少一个电路部件，其中每个所述的电路部件是与对应熔丝单元并联，用来进行电路参数微调；

连接所述第一熔丝结构和所述第二熔丝结构的相背端到一个电压基准；

施加一个编程电压到所述第一熔丝结构和所述第二熔丝结构的公共端，并使电流流经所述第一熔丝结构和所述第二熔丝结构到所述电压基准；

将所述编程电压从所述公共端移开；和

将所述第一熔丝结构和所述第二熔丝结构的所述相背端与所述电压基准断开。

12.根据权利要求11所述的编程熔丝单元的方法，其中所述施加一个编程电压的步骤另外包括施加一个外部编程电压经过熔丝焊盘。

13.根据权利要求11所述的编程熔丝单元的方法，其中所述施加一个编程电压的步骤另外包括施加一个由晶片上电路产生的内部编程电压。

14.根据权利要求11所述的编程熔丝单元的方法，还包括步骤：将微调信号解码成控制信号，用于控制所述第一熔丝结构和所述第二熔丝结构与所述一个或多个熔丝单元到电压基准的所述连接和断开。

15.根据权利要求11所述的编程熔丝单元的方法，其中通过连接所述第一熔丝结构和所述第二熔丝结构的所述相背端到接地电势的方式，所述连结第一熔丝结构和所述第二熔丝结构的相背端到一个电压基准的步骤得以发生。