[实用新型]芯片封装结构

说明书

技术领域：

本实用新型涉及一种芯片封装结构，尤指应用于晶圆晶方级尺度型芯片尺寸构装并藉由直接在芯片上形成环氧基紫外负性光刻胶(SU8)厚膜光阻作为绝缘层，可制作厚度大于15微米(μm)以上的结构，在提升厚度的同时，亦使结构可靠性增加的芯片封装结构。

背景技术：

随着中国台湾半导体产业的蓬勃发展及国科会与经济部的资助下，愈来愈多人力与物力投入晶圆晶方级尺度型芯片尺寸构装的发展。

在一般已知的芯片封装技术中，其内部所使用的绝缘层材料多为聚亚酰安(Polyimide，PI)、苯基环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)或聚苯并恶唑(polybenzoxazole，PBO)等聚合物绝缘层，在制程中，由于上述该等绝缘层材料本身的特性，仅能沉积5μm～7奈米(nm)的厚度，实很难沉积厚度足够厚的绝缘层，因此于布线时，很容易因承受不住应力而产生裂纹，无法提高封装时的可靠性，使得产品良率降低。故，一般无法符合使用者于实际使用时所需。

实用新型内容：

本实用新型所解决的技术问题是：针对上述现有技术的不足，提供一种芯片封装结构，可直接在芯片上形成SU8厚膜光阻作为绝缘层，可制作厚度大于15μm以上的结构，在提升厚度的同时，亦能使结构可靠性增加。

为了解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种芯片封装结构，其包括一芯片、三绝缘层、数个线路凹槽、一防焊层及一金属层，其特点是：所述芯片上具有数个芯片座；该三绝缘层分别为被覆于该芯片上的第一绝缘层、被覆于该第一绝缘层上的第二绝缘层、以及被覆于该第二绝缘层上的第三绝缘层；该线路凹槽设置于该芯片上及该第一至第三绝缘层内，其中至少一线路凹槽内含有一个芯片座；该防焊层涂布于第三绝缘层表面，并覆盖该线路凹槽的预定部份；该金属层形成于该芯片座上或该线路凹槽中，并含有数个金属接点，各金属接点连接该防焊层，并电性连接该芯片的芯片座。

该自一晶圆上切割而来的芯片，其上是以具有一负光阻特性的SU8厚膜作为该绝缘层，该些绝缘层是以厚度约15μm以上的SU8所成，其第一层SU8厚膜绝缘层旋涂形成于该芯片上端，于该第一层SU8厚膜绝缘层上端再依序形成第二、三层SU8厚膜绝缘层，其中，在该第三层SU8厚膜绝缘层上并含有一以表面黏着技术涂覆的防焊层。当欲于该芯片上长出线路时，是先于该防焊层的表面使用一光阻剂，以曝光显影方式于该芯片及该些绝缘层中形成该预先设计好的线路凹槽，再于该线路凹槽内填入导电金属质，以形成该金属层及数个金属接点，由各金属接点连接该防焊层，并电性连接该芯片上的芯片座，另外，亦可进一步在该些金属接点上沾附复数个锡膏，以增进后续焊接使用，藉以完成该芯片封装结构的制作。

如此，藉由以SU8厚膜负光阻直接在芯片上形成，再于此SU8厚膜负光阻上端被覆防焊层，可在芯片上进行曝光显影后，提供高深宽比线路凹槽，除了可制作厚度大于15μm以上的结构外，其具备的高强度特性，更具有良好的结构特性，不仅可节省制造流程，更加便于形成中空结构，可在提升厚度的同时，亦使结构的可靠性增加。

附图说明：

图1是本实用新型的结构示意图。

标号说明：

芯片封装结构1                芯片11

绝缘层12a、12b、12c          芯片座111

线路凹槽13                   防焊层14

金属层15                     金属接点151

锡膏16

具体实施方式：

请参阅图1所示，本实用新型为芯片封装结构，该芯片封装结构1至少包含有一芯片(Die)11、三绝缘层(Insulator Layer)12a、12b、12c、复数个线路凹槽13、一防焊层(Solder Mask)14及一金属层(Metal Layer)15所构成，藉由使用SU8厚膜负光阻，可制作高厚度的结构，能在提升厚度的同时，亦使结构的可靠性增加。

藉由以SU8厚膜负光阻直接在芯片上形成，再于此SU8厚膜负光阻上端被覆防焊层，可在芯片上进行曝光显影后，提供高深宽比线路凹槽，除了可制作厚度大于15μm以上的结构外，其具备的高强度特性，更具有良好的结构特性，不仅可节省制造流程，更加便于形成中空结构，可在提升厚度的同时，亦使结构的可靠性增加。

该芯片11上含有复数个芯片座(Die Pad)111。