[实用新型]荫罩式等离子体显示板后基板

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种荫罩式等离子体显示板，尤其是结构简单、制造成本低、产品成品率高的等离子体显示板后基板，具体地说是一种荫罩式等离子体显示板后基板。

背景技术

障壁式等离子体平板显示器与荫罩式等离子体平板显示器的后基板结构有较大不同：前者后基板结构包括后基板玻璃、寻址电极、介质层、障壁及覆盖在障壁侧面和介质层上的三基色荧光粉层；后者后基板结构包括后基板玻璃、寻址电极、介质层、用于保护介质的氧化镁层。障壁式等离子体平板显示器后基板上的荧光粉覆盖在介质层上，起到保护介质的作用，而荫罩式等离子体平板显示器后基板上的介质由于结构的不同，没有荧光粉的覆盖，因此需要制作一层氧化镁层以保护介质。后基板介质层上制作的氧化镁层增加了荫罩式等离子体平板显示器的制造工序。

目前通常采用的是真空镀膜法制备薄膜氧化镁层，这种方法制得的氧化镁层即能保证基板透明性又能保护介质，真空镀膜法是障壁式等离子体平板显示器前基板氧化镁层的主要制作方法，同样也适用于荫罩式等离子体平板显示器的前后基板氧化镁层制作。由于荫罩式等离子体平板显示器的后基板不需要很好的透明性，所以其后基板采用真空镀膜法制作存在以下不足之处：①制造工序复杂，不利于产品成品率的增加；②由于氧化镁层采用真空镀膜法制备，需要价格昂贵的连续真空镀膜设备，相对于制造障壁式等离子体平板显示器后基板而言，增加了设备成本投入和产品制造成本；③真空镀膜法制得的氧化镁薄膜易受外界环境影响，对储存环境有严格的要求，增加了产品制造成本。因此，现有的荫罩式等离子体显示板后基板的制作不能达到制造简单、生产成本低、产品成品率高的要求，不能满足现有生产的需要。

发明内容

本实用新型的目的是针对现有的丝网印刷、刮涂、干膜压制等厚膜工艺制造的荫罩式等离子体显示板后基板的氧化镁层粘结性不好的问题，提出一种结构简单、生产成本低、产品成品率高荫罩式等离子体显示板后基板。

本实用新型的技术方案是：

一种荫罩式等离子体显示板后基板，它包括后基板玻璃、寻址电极、介质层和氧化镁层，寻址电极在后基板玻璃上，介质层在后基板玻璃和寻址电极上，氧化镁层在介质层上，其特征是它还包括粘结层，粘结层在介质层和氧化镁层之间。

本实用新型的粘结层的材料为低熔点玻璃，厚度为1～10微米。

本实用新型的氧化镁层的厚度为1～5微米。

本实用新型的有益效果：

1、本实用新型在后基板的介质层和氧化镁层之间设有一层粘结层，粘结层用以加强氧化镁层与介质层的粘结，粘结效果好，结构简单，降低了因制造工序复杂引起的次品问题。

2、本实用新型采用粘结层改变丝网印刷法等厚膜工艺制作的氧化镁层粘结性不好的问题取代真空镀膜法制作氧化镁层，采用丝网印刷法等厚膜工艺制造，不再需要价格昂贵的连续真空镀膜设备来形成氧化镁介质保护层，大大降低设备成本投入和产品制造成本。

3、本实用新型的后基板氧化镁层属于厚膜，不像真空镀膜法形成的氧化镁薄膜那样对储存环境有严格的要求，从而降低产品制造成本，提高了成品率。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

1.后基板玻璃；2.寻址电极；3.介质层；4.粘结层；5.氧化镁层。

具体实施方式

下面结合附图1和实施例对本实用新型作进一步的说明。

如图1所示，一种荫罩式等离子体显示板后基板，它包括后基板玻璃1、寻址电极2、介质层3和氧化镁层5，寻址电极2在后基板玻璃1上，介质层3在后基板玻璃1和寻址电极2上，氧化镁层5在介质层3上，其特征是它还包括粘结层4，粘结层4在介质层3和氧化镁层5之间。

本实用新型的粘结层4可采用厚膜工艺制备，材料为低熔点玻璃，厚度为1～10微米。

本实用新型的氧化镁层5的厚度为1～5微米，采用丝网印刷、刮涂、干膜压制等厚膜工艺制备，将氧化镁粉与粘结剂配制成丝网印刷用浆料后印制于后基板粘结层上或采用刮涂工艺涂制在后基板粘结层上或制成干膜压制在粘结层上，再经高温烧结而成。

实施例一