[实用新型]一种单电极LED芯片结构无效
| 申请号： | 200820235685.8 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN201450017U | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 吴大可;朱国雄;张坤 | 申请（专利权）人： | 世纪晶源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518107 广东省深圳市光明新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 led 芯片 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种单电极LED芯片结构，该芯片为倒装结构，其包括依次叠置在一起的n金属电极层、蓝宝石衬底粗化层、蓝宝石衬底、外延层、钝化层、透明电极层及焊料层，其特征在于：所述的焊料层表面上通过光学镀膜的方式形成有DBR光学反射层，所述的焊料层底部设置有一高导热基座层。
2.根据权利要求1所述的单电极LED芯片结构，其特征在于：所述的高导热基座的底部设置有一背金属层。
3.根据权利要求1所述的单电极LED芯片结构，其特征在于：所述的蓝宝石衬底的厚度为10-50微米。
4.根据权利要求1所述的单电极LED芯片结构，其特征在于：所述的高导热基座的厚度为50-500微米。
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