[实用新型]高深宽比的硅基深槽结构无效
| 申请号： | 200820222266.0 | 申请日： | 2008-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN201408748Y | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡长龙;马睿;刘欢;周顺;秦文罡;高爱华;刘卫国 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 程晓霞 |
| 地址： | 710032*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高深 硅基深槽 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高深宽比的硅基深槽结构，包括硅基底，在硅基底上有刻蚀的槽，其特征在于：在硅基底(2)上沉积MgO薄膜作为掩蔽层(1)，在硅基底(2)上刻蚀的槽(3)槽深达420μm，深宽比为4∶1。
2.根据权利要求1所述的高深宽比的硅基深槽结构，其特征在于：所述的掩蔽层(1)在刻蚀前沉积的MgO薄膜厚度为1.5μm，槽(3)刻蚀完毕后，硅基底(2)上掩蔽层(1)即刻蚀后的MgO薄膜厚度为100nm-250nm。
3.根据权利要求1或2所述的高深宽比的硅基深槽结构，其特征在于：所述的硅深槽结构的槽(3)上部宽95μm-110μm，下部宽75μm-85μm，侧壁垂直度达到88°-89°。
4根据权利要求3所述的高深宽比的硅基深槽结构，其特征在于：根据微器件的设计需要硅深槽能够加工为通孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安工业大学，未经西安工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820222266.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
