[实用新型]一种改善电流扩展效率的发光二极管无效
| 申请号： | 200820213577.0 | 申请日： | 2008-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN201417785Y | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 胡加辉;廖家明;杨仁君;沈志强;朱国雄;江明璋 | 申请（专利权）人： | 世纪晶源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518107广东省深圳市光明新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 电流 扩展 效率 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1、一种改善电流扩展效率的发光二极管，包括层状结构发光二极管外延片，该外延片包括衬底、N型电流扩展层、有源发光区、P型电流扩展层、透明导电层、P电极及N电极，其特征在于：所述的P型电流扩展层内形成有一电流阻挡区，该电流阻挡区内设置有电流阻挡层。
2、根据权利要求1所述的改善电流扩展效率的发光二极管，其特征在于：所述的电流阻挡层是通过离子植入方法把N型掺杂离子植入到P型电流扩展层的下半部分。
3、根据权利要求1或2所述的改善电流扩展效率的发光二极管，其特征在于：所述的电流阻挡层是通过离子植入方法把N型掺杂离子植入到P电极的正下方。
4、根据权利要求3所述的改善电流扩展效率的发光二极管，其特征在于：所述的N型掺杂离子包括硅离子。
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