[实用新型]制备非晶硅薄膜的连续式等离子体增强化学气相淀积反应室有效

专利信息
申请号: 200820210906.6 申请日: 2008-12-12
公开(公告)号: CN201334518Y 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 周大良;刘良玉 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/24
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 代理人: 马 强
地址: 410111湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 制备 非晶硅 薄膜 连续 等离子体 增强 化学 气相淀积 反应
【权利要求书】:

1、一种制备非晶硅薄膜的连续式等离子体增强化学气相淀积反应室,包括一个由底板(7)和装在该底板(7)上的反应罩(26)组成的圆筒形大反应室(1),其特征是,所述大反应室(1)中设有一个入片室(2)和三个结构相同的圆形小反应室,该三个圆形小反应室的轴心线均与大反应室(1)的轴心线平行,且同一水平截面上所述三个圆形小反应室和入片室(2)的圆心到大反应室(1)圆心的距离均相等,该三个圆形小反应室和入片室(2)的圆心分布在所述截面的同一圆周上;并且:

所述圆形小反应室由位于大反应室(1)下部的下反应室和位于大反应室上部并与所述下反应室相对的可升降上反应室组成;

机械传送臂由位于所述大反应室(1)中心且相对于所述底板(7)为密封连接的转轴(6)和一端装在该转轴上的可升降横臂(17)组成,载有基片(16)的所述横臂(17)在转轴(6)驱动下可运行至所述下反应室和上反应室之间;

载有基片(16)的所述横臂(17)运行至一个下反应室上方后,下降至该下反应室的上端口,相应的上反应室下降至该载有基片(16)的横臂(17)上而与该横臂(17)及所述下反应室组成密封的所述圆形小反应;

入片室(2)由位于大反应室(1)底板(7)上并设有屏蔽层的电加热器(8)和位于该电加热器(8)上方并安装在大反应室(1)的所述反应罩(26)上的可开启密封门(25)组成。

2、根据权利要求1所述制备非晶硅薄膜的连续式等离子体增强化学气相淀积反应室,其特征是,下反应室的底座(27)焊接在底板(7)上,为水冷夹层结构;该下反应室的底部设有工艺气体进气口(13)、抽气口(14)及高频电源(RF)引入;下反应室中还设有进气匀流板(15);上反应室的下端为敞口的罩形基座(28)中装有加热器(19)和内屏蔽罩(20),罩形基座(28)顶部通过置于焊接金属波纹管(23)中的连接杆(29)与该焊接金属波纹管(23)的顶端连接并与大反应室(1)外部的上反应室升降气缸(21)的活塞相连,可伸缩的焊接金属波纹管(23)的下端与反应罩(26)上的支架固定连接。

3、根据权利要求1所述制备非晶硅薄膜的连续式等离子体增强化学气相淀积反应室,其特征是,所述可升降的横臂(17)的组成为,连接在底板(7)底面上的电动机(10)、同步带(9)通过磁流体密封件(11)与机械传送臂的转轴(6)下端相连,一侧同所述横臂(17)一端固定连接的轴帽(30)套装在转轴(6)上端且该轴帽(30)与转轴(6)之间装有张力弹簧(22);一根升降杆(31)的下端位于轴帽(30)上方而该升降杆(31)的上端同可伸缩的焊接金属波纹管(23)上端及气缸(24)的活塞连接;该焊接金属波纹管(23)下端及气缸(24)分别同反应罩(26)上的支架固定连接。

4、根据权利要求1所述制备非晶硅薄膜的连续式等离子体增强化学气相淀积反应室,其特征是,所述入片室(2)由位于大反应室(1)底板(7)上并设有屏蔽层的电加热器(8)和位于该电加热器(8)上方并安装在所述反应罩(26)上的可开启密封门(25)组成。

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