[实用新型]一体式复合层匣钵

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种窑具技术领域，特别是一种用于烧成电子元件的匣钵。

背景技术

在电子技术领域内，电子元件，特别是锰锌系、镍锌系电子元件，需要在窑炉中进行高温烧结。烧结时，首先需要将电子元件放入一个专用匣钵中，然后进入窑炉，在大约1400度温度下进行烧结处理。

目前生产上所用的一种匣钵，其剖面如图1所示，匣底1包括一基层4，该基层4采用碳化硅(SiC)材料制作，为防止在高温下碳原子的扩散对匣钵内的电子元件造成污染，需要在碳化硅基层4上面覆盖一层隔离层3，其为氧化铝材料，同时也用此种材料制作匣墙2，匣墙2对摆放在匣钵中的电子元件起护栏作用。

这种匣钵存在的问题是，由于氧化铝材料的线膨胀系数与碳化硅材料的线膨胀系数不匹配，使匣钵在使用过程中由于热胀冷缩效应而使匣墙易发生“崩角”和破断现象，从而使匣墙脱落匣钵报废，不但缩短了匣钵使用寿命，而且在生产过程中上述事故的发生，会压坏电子元件，严重影响成品率。

实用新型内容

本实用新型的发明目的是，提供一种一体式复合层匣钵，以解决现有技术中的匣钵在使用过程中发生的匣墙“崩角”和破断问题。

本实用新型提供的一体式复合层匣钵，包括匣底和匣墙，其特征在于，所述匣底和匣墙至少包括基层、用于防止基层物质高温扩散至匣钵内烧成产品而设置在所述基层上面的内隔离层，并且，所述匣底的基层与所述匣墙的基层连为一体，所述匣底的内隔离层与所述匣墙的内隔离层连为一体，所述基层采用碳化硅(SiC)材料。进一步地，所述匣底基层的下面也设置隔离层，即为外隔离层，所述的内、外隔离层采用含铝量为78％--99％的材料，所述的含铝例如氧化铝。

更进一步地，为有效提高匣钵碳化硅材料的抗热震性即在急冷急热的条件下不发生破坏的能力，在所述匣钵上设有与匣钵边沿垂直的一条或多条伸缩缝，该伸缩缝贯穿所述匣墙和匣底，伸缩缝的长度是匣钵单边长度的20％至25％，并且，相对两边沿上的伸缩缝错开设置。

更具体地，如果在匣钵的四边每边设置1条伸缩缝，则该伸缩缝与边沿的交点设在匣钵每边边长的25％至45％处。更好地，在伸缩缝内可以填充无机氧化物材料如高温纤维棉材料。

再有，所述匣墙的断面形状可以为梯形或矩形。在多个匣钵叠放使用时，所述匣墙的墙角高度宜高于边墙的高度。

本实用新型通过将基层碳化硅材料由匣底部延伸至匣墙，使匣墙具有与匣底一体连接的基层和隔离层，增加了匣墙的强度，避免了匣钵在使用过程中易发生的“崩角”等匣墙破断、脱落现象，而通过在匣底和匣墙上合理设置伸缩缝，提高了匣钵的抗热震性，从而有效延长了匣钵使用寿命，提高了电子元件烧结时的成品率。

附图说明

图1是目前采用的一种匣钵的剖面结构示意图。

图2是本实用新型一实施例的剖面结构示意图。

图3是本实用新型一实施例的俯视图。

具体实施方式

下面结合图2到图3和具体实施例对本实用新型做进一步说明。

图2是本实用新型一实施例的剖面结构示意图。本实施例提供的匣钵包括匣底11和匣墙21，其中，所述匣底11由内隔离层31、基层41和外隔离层5构成，匣墙2由匣底11的内隔离层31和基层41向上延伸而成。

其中，构成基层41的材料为碳化硅材料，其优点是高温(1450℃)荷重能力强、热膨胀率小(1000℃为0.44％至0.48％)，在使用过程中匣钵的匣底和匣墙不易破坏。基层41的厚度根据匣钵的大小而定，一般为4至10毫米。

内隔离层31可以采用各种无机氧化物材料，最常用的是氧化铝材料，其含铝量可以为78％至99％，也可以采用氧化铝的衍生物如氮化铝、硅酸铝等，根据实际需要也可以是其他的氧化物，如氧化锆等。这一隔离层的作用是隔绝电子产品在烧成过程中被基层碳化硅材料释出的碳所污染，其厚度一般为2至4毫米。

另外，在生产中，匣钵通常在窑炉中叠放多层，为避免下层匣钵中的电子元件被上层匣钵的基层中的碳原子污染，则在匣底1的基层的下表面也覆盖一层与内层起相同作用的材料，即形成外隔离层5，而匣墙21则只需在内表面覆盖一层氧化铝材料即可。