[实用新型]膜渗透太阳能电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种膜渗透太阳能电池。

背景技术

晶体硅太阳能电池占据了光伏市场的90％以上的份额，如何进一步提高效率，降低成本是国内外晶体硅太阳能电池研究领域的基本目标。

在硅片上实现选择性发射极结构是p-n结晶体硅太阳能电池实现高效的方法之一。所谓选择性发射极结构有两个特征：1)在电极栅线下及其附近形成高掺杂深扩散区；2)在其他区域形成低掺杂浅扩散区。实现选择性发射极结构的关键便是如何形成上面所说的两个区域。实现选择性发射区的方法有很多种，最常见的有光刻、激光开槽。但这些方法对太阳能电池制造而言过于复杂，只能应用于实验室或小规模的生产中，难于在常规电池的产业化生产中推广。

实用新型内容

本实用新型的目的是要提供一种膜渗透太阳能电池，该膜渗透太阳能电池具有较高的光电转换效率。

本实用新型所采用的技术方案为：一种膜渗透太阳能电池，包括硅片，在硅片的表面镀上一层磷可渗透膜层，在磷可渗透膜层上具有按照一定间隔选择印刷的磷浆。

磷浆通过磷浆扩散工艺在在印刷区下形成高掺杂区。

本实用新型的有益效果是：本太阳能电池加工简单，易实现，污染小，适于产业化生产。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型的扩散工艺流程图。

图中：1.硅片，2.高掺杂区，3.低掺杂区，4.磷浆，5.磷可渗透膜层。

具体实施方式

如图1所示的一种膜渗透太阳能电池，包括硅片1，在硅片1的表面镀上一层磷可渗透膜层5，在磷可渗透膜层5上具有按照一定间隔选择印刷的磷浆4。

磷浆4通过磷浆扩散工艺在磷浆的印刷区下形成高掺杂区2。

如图1和2所示，该太阳能电池的具体生产过程如下：

硅片1表面首先进行清洗制绒处理，再在硅片1表面镀上一层磷可渗透膜层5；将磷浆4如电极栅线状印刷到硅片1表面，再烘干浆料，然后将此硅片1放入扩散炉中进行扩散，所镀的磷可渗透膜层5不会阻止磷浆中的磷向硅片1中扩散，但会阻止挥发到扩散炉中的磷浆4中的部分磷沉积到硅片1表面后向磷浆4的非扩散区扩散，这样做的目的是使磷浆4在印刷区的扩散截面更加理想。

完成上述膜渗透太阳能电池扩散工艺后，会在磷浆4的印刷区形成较为理想的高掺杂区2，去除硅磷玻璃和所镀的膜后，再将硅片1放入扩散炉中再进行扩散，在非印刷区形成低掺杂区3。

硅片1完成选择性扩散后进行去硅磷玻璃，然后进行刻边，镀氮化硅、减反射膜，印刷背面电极、印刷铝背场，印刷正面电极，烧结成为最终的成品。