[实用新型]双磁路结构的薄型扬声器

权利要求书

1、双磁路结构的薄型扬声器，包括盆架(1)及位于盆架(1)内的磁路结构，所述磁路结构的下部位于盆架(1)的底部内，在盆架(1)的上端敞口处设置音盆(2)，其特征是：所述盆架(1)的底部至少包括第一底部(1a)与第二底部(1b)，在第一底部(1a)与第二底部(1b)上分别设置磁路结构。

2、如权利要求1所述双磁路结构的薄型扬声器，其特征是：在所述磁路结构中，主磁体位于盆架(1)的底部内壁，在主磁体的上面设置磁极芯，在磁极芯的上面设置副磁体，在主磁体、磁极芯及副磁体的周围设置环形的音圈；在所述盆架(1)与音盆(2)之间设置定位支片，在音圈上设置音帽，所述音圈或音帽位于定位支片的中央，所述音帽向上突出音盆(2)。

3、如权利要求1所述双磁路结构的薄型扬声器，其特征是：所述盆架(1)的底部突出于盆架(1)的底面，在盆架(1)内形成一个容纳磁路结构的下部的空间，所述磁路结构的下部位于该空间内。

4、如权利要求1所述双磁路结构的薄型扬声器，其特征是：所述音盆(2)的边缘设置折环，音盆(2)的折环与盆架(1)的上端边缘接触；音盆(2)中央的通孔内壁与音帽结合。

5、如权利要求1所述双磁路结构的薄型扬声器，其特征是：在音盆(2)的上表面设置加强筋。

6、如权利要求1所述双磁路结构的薄型扬声器，其特征是：在音盆(2)的边缘上面设置有垫边(11)。

7、如权利要求2所述双磁路结构的薄型扬声器，其特征是：相邻两个磁路结构中的音圈并联设置，所述的两个磁路结构中的主磁体的极性相反设置，同一磁路结构中的副磁体和主磁体的极性相反设置，所述的两个磁路结构中的两个副磁体的极性相反设置。

8、如权利要求2所述双磁路结构的薄型扬声器，其特征是：相邻两个磁路结构中的音圈串联设置，所述的两个磁路结构中的主磁体的极性相同设置，同一个磁路结构中的副磁体和主磁体的极性相反设置，所述的两个磁路结构中的副磁体的极性相同设置。