[实用新型]晶圆盒的顶撑构造有效
| 申请号： | 200820178846.4 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN201327823Y | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 翁连波;张耀中 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆盒 构造 | ||
1、一种晶圆盒的顶撑构造，其是在一盖体内部的上表面的一第一结合座及
一第二结合座上分别安装一顶撑件，以分别抵接一座体的一定位框架的
一第一顶面及一第二顶面，其特征在于：每一所述顶撑件包含：
一结合部，其结合于所述盖体的第一或第二结合座；
二支撑臂，每一所述支撑臂的一端连接所述结合部；
二弯折部，每一所述弯折部的一端连接所述支撑臂的另一端；
二弹性臂，每一所述弹性臂的一端连接所述弯折部；
一抵接部，其连接所述二弹性臂的另一端；及
一限位板，其具有至少一基部及一限位部，所述基部结合在所述支撑臂与结合部的结合位置上，所述限位部用以适时抵接所述抵接部的内表面，以限制所述弹性臂及支撑臂的压缩变形量。
2、如权利要求1所述的晶圆盒的顶撑构造，其特征在于：所述座体的第一及第二顶面之间具有一高度差，所述第二顶面相对较低。
3、如权利要求2所述的晶圆盒的顶撑构造，其特征在于：所述盖体的第一及第二结合座之间具有一高度差，所述第二结合座相对较凸出。
4、如权利要求3所述的晶圆盒的顶撑构造，其特征在于：所述二顶撑件的尺寸相同。
5、如权利要求2所述的晶圆盒的顶撑构造，其特征在于：所述二顶撑件的尺寸不同，所述二顶撑件之间具有一高度差，所述第二结合座上的顶撑件相对较凸出。
6、如权利要求5所述的晶圆盒的顶撑构造，其特征在于：所述盖体的第一及第二结合座具有相同高度。
7、如权利要求1所述的晶圆盒的顶撑构造，其特征在于：所述至少一基部的跨距大于所述限位部的跨距，使所述限位板形成上宽下窄状。
8、一种晶圆盒的顶撑构造，其是在一盖体内部的上表面的一结合座上安装
一顶撑件，以抵接一座体的一定位框架的一顶面，其特征在于：所述顶撑件包含：
一结合部，其结合于所述盖体的结合座；
二支撑臂，每一所述支撑臂的一端连接所述结合部；
二弯折部，每一所述弯折部的一端连接所述支撑臂的另一端；
二弹性臂，每一所述弹性臂的一端连接所述弯折部；
一抵接部，其连接所述二弹性臂的另一端；及
一限位板，其具有至少一基部及一限位部，所述基部结合在所述支撑臂与结合部的结合位置上，所述限位部用以适时抵接所述抵接部的内表面，以限制所述弹性臂及支撑臂的压缩变形量。
9、如权利要求8所述的晶圆盒的顶撑构造，其特征在于：所述至少一基部的跨距大于所述限位部的跨距，使所述限位板形成上宽下窄状。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
