[实用新型]冷热地隔离的半桥驱动电路无效
申请号: | 200820173665.2 | 申请日: | 2008-10-24 |
公开(公告)号: | CN201282432Y | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 辛晓光;高宽志;王清金 | 申请(专利权)人: | 青岛海信电器股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387;H02M1/08 |
代理公司: | 青岛联智专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 邵新华 |
地址: | 266100山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热地 隔离 驱动 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种驱动电路,具体地说,是涉及一种需要冷热地隔离的半桥驱动电路。
背景技术
在设计半桥驱动电路时,当驱动电路与半桥开关管MOSFET分属冷热地时,无法直接驱动,必须将两种接地电路通过变压器的初级和次级进行隔离。传统的设计方法是增加一个辅助驱动芯片,比如IR2304、IRS2003等集成芯片,将隔离后的驱动信号转换为比较平稳的方波信号,以驱动上下开关管MOSFET通断。
这种使用辅助驱动芯片组建半桥驱动电路的设计方法,不仅增加了成本,而且需要在辅助驱动芯片的周围连接其运行所必需的外围电路,从而使得电路结构变得比较复杂。
实用新型内容
本实用新型为了解决现有采用辅助驱动芯片组建的半桥驱动电路结构复杂、成本高的问题,提供了一种新型的冷热地隔离的半桥驱动电路,采用分立元器件组建驱动电路,成本较低,可靠性较高。
为解决上述技术问题,本实用新型采用以下技术方案予以实现:
一种冷热地隔离的半桥驱动电路,包括隔离变压器和半桥电路的上下开关管;所述隔离变压器的初级线圈连接驱动信号输入端,次级线圈包括两个,第一次级线圈的同名端经消尖峰电路连接电流反抽电路,进而经驱动电阻连接上开关管的控制端,所述上开关管的开关通路连接在直流电源与负载之间,第一次级线圈的异名端连接所述负载;第二次级线圈的异名端经另一消尖峰电路连接另一电流反抽电路,进而经另一驱动电阻连接下开关管的控制端,所述下开关管的开关通路连接在所述负载与地之间,第二次级线圈的同名端接地。
其中,所述驱动信号输入端包括两路,各自通过一路推挽电路对引入的驱动信号进行放大后分别与所述隔离变压器的初级线圈的两端对应连接。
进一步的,所述隔离变压器的初级线圈与一隔直电容相串联;另外,在所述的两路推挽电路的输出端与地之间分别连接有一路续流二极管。
又进一步的,在所述负载电路中包含有一由变压器和电容串联而成的谐振回路,所述变压器的初级线圈分别与所述隔离变压器的第一次级线圈的异名端和上下开关管的开关通路相连接。
为了保证反抽电流通过电流反抽电路泻放,在所述的两路消尖峰电路与电流反抽电路之间各自连接有一路开关二极管,所述开关二极管的阳极连接消尖峰电路,阴极连接电流反抽电路。
再进一步的,在所述的两路消尖峰电路中均包含有一路二极管;其中一路二极管的阳极连接所述隔离变压器的第一次级线圈的同名端,阴极经由一电容和电阻组成的并联支路连接所述第一次级线圈的异名端;另一路二极管的阳极连接所述隔离变压器的第二次级线圈的异名端,阴极经由另一电容和电阻组成的并联支路连接所述第二次级线圈的同名端。
更进一步的,在所述的两路电流反抽电路中均包含有一路三极管,其中一路三极管的基极连接所述隔离变压器的第一次级线圈的同名端,发射极连接所述该路开关二极管的阴极,集电极经由一路二极管连接所述第一次级线圈的异名端;另一路三极管的基极连接所述隔离变压器的第二次级线圈的异名端,发射极连接所述该路开关二极管的阴极,集电极经由另一路二极管连接所述第二次级线圈的同名端。
其中,所述上下开关管为MOS管,在其源极和漏极之间分别并联有一路反向续流二极管。
为了调整驱动信号的上升沿,在所述上下MOS管的栅极与源极之间各自并联有一路调整驱动信号上升沿的电容。
与现有技术相比,本实用新型的优点和积极效果是:本实用新型的冷热地隔离的半桥驱动电路,通过采用分立元器件组建驱动电路的设计方式来达到半桥电路的驱动目的,从而避免了辅助驱动芯片的使用,降低了电路成本。与此同时,由于减少了驱动芯片以及相应的外围电路,从而使得电路结构更加简洁,可靠性得以提高。
结合附图阅读本实用新型实施方式的详细描述后,本实用新型的其他特点和优点将变得更加清楚。
附图说明
图1是本实用新型所提出的冷热地隔离的半桥驱动电路的一种实施例的电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细地描述。
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