[实用新型]增益限幅电路有效
| 申请号: | 200820166832.0 | 申请日: | 2008-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN201319585Y | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
| 发明(设计)人: | 郑泉智 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | H03G3/20 | 分类号: | H03G3/20;H03G1/04 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 310012浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 增益 限幅 电路 | ||
1.一种增益限幅电路,其特征在于由N个具有差分输入和差分输出的增益级依次串联连接,第一增益级的差分输入作为增益限幅电路的信号输入端,最后一级增益级的差分输出作为增益限幅电路的信号输出端,用于接收反馈的增益级还具有第二差分输入,第K级增益级的差分输出通过反馈环路反馈给接收反馈的第M级增益级的第二差分输入信号,K为1到N之间的任意整数,M小于等于K,且各个增益级仅被包含在一个反馈环路中。
2.如权利要求1所述的增益限幅电路,其特征在于所述的反馈环路为RC低通滤波器。
3.如权利要求1所述的增益限幅电路,其特征在于所述的反馈环路为Gm-C低通滤波器。
4.如权利要求1所述的增益限幅电路,其特征在于所述的反馈环路为有源RC积分器。
5.如权利要求1所述的增益限幅电路,其特征在于所述的反馈环路为有源开关电容积分器。
6.如权利要求1所述的增益限幅电路,其特征在于所述的增益级包括NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2,电阻R1、电阻R2,电源VDD以及第一电流源,其中NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2以及电阻R1、电阻R2组成差分输入输出对,电阻R1和电阻R2共同连接到电源VDD,NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2的源极连接第一电流源并接地。
7.如权利要求5所述的增益限幅电路,其特征在于接受反馈的增益级还包括NMOS晶体管M3、NMOS晶体管M4、NMOS晶体管M3的栅极和NMOS晶体管M4的栅极作为第二差分输入对,NMOS晶体管M3和NMOS晶体管M4的漏极连接到差分输出对,NMOS晶体管M3和NMOS晶体管M4的源极连接第二电流源并接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰微电子股份有限公司,未经杭州士兰微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820166832.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型履带式拖拉机龙门架
- 下一篇:一种客车模块化后悬梁结构





