[实用新型]大功率发光二极管芯片的封装结构有效
| 申请号： | 200820164084.2 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN201255376Y | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 程野 | 申请（专利权）人： | 杭州友旺科技有限公司 |
| 主分类号： | F21V19/00 | 分类号： | F21V19/00;F21V7/10;F21V29/00;F21V23/00;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310052浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 大功率 发光二极管 芯片 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种大功率发光二极管芯片的封装结构，包括大功率发光二极管芯片、金属基座以及塑料构件，所述金属基座的表面开有反射凹杯，大功率发光二极管芯片通过导热性良好的连接介质固定在凹杯的底面，塑料构件与金属基座通过塑料构件上的四只塑料脚连接，金属基座的凹杯套在塑料构件内，塑料构件内封装导电片，导电片设有芯片电极连接端与引脚输出端，导电片的芯片电极连接端通过导线与大功率发光二极管芯片的电极连接，塑料构件与金属基座反射凹杯的空腔为填充树脂。
2.如权利要求1所述的一种大功率发光二极管芯片的封装结构，其特征在于所述的大功率发光二极管芯片可根据其数量串联或者并联或者串并联组合连接。
3.如权利要求1所述的一种大功率发光二极管芯片的封装结构，其特征在于所述的金属基座上可以开有两个半圆槽。
4.如权利要求1所述的一种大功率发光二极管芯片的封装结构，其特征在于所述的金属基座上的中间可以开有一个螺孔。
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