[实用新型]高透过率触摸屏用透明导电玻璃无效

专利信息
申请号: 200820160507.3 申请日: 2008-10-10
公开(公告)号: CN201309893Y 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 李俊 申请(专利权)人: 无锡康力电子有限公司
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 柏尚春
地址: 214253江苏省宜兴市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 透过 触摸屏 透明 导电 玻璃
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种玻璃,尤其是一种高透过率触摸屏用透明导电玻璃。

背景技术

触摸屏主要应用于手机、GPS等终端设备上时,对显示出来的画面质量有较大的影响。目前市场上主要的触摸屏用导电玻璃主要是两层膜结构,如图1所示,在玻璃基片1上镀制有二氧化硅膜(SiO2)3a和铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO)4,这种导电玻璃的光线透过率较低,只能达到80%~81%,清晰度较低。通常为了提高显示清晰度就必须要提高液晶显示器本身的发光亮度,而提高发光亮度一方面增加了液晶显示器的功耗,另外一方面严重缩短了液晶显示器的背光源寿命。

发明内容

发明目的:针对目前触摸屏的光线透过率不高的现象,提供一种高透过率的透明导电玻璃作为制作触摸屏用的导电电极,来提高触摸屏的可见光光线透过率,使得液晶显示器显示更加清晰,降低能源消耗。

技术方案:为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案如下:

一种高透过率触摸屏用透明导电玻璃,它包括玻璃基片,在玻璃基片的一面上依次镀加有五氧化二铌膜、二氧化硅膜和铟锡氧化物半导体透明导电膜。

在玻璃基片的另外一面依次镀加有五氧化二铌膜和二氧化硅膜。

所述的二氧化硅膜的厚度为10至40nm,五氧化二铌膜膜层厚度范围为40至80nm。

利用不同介质薄膜在特定厚度的光学折射率不同来进行叠加,形成光学干涉效果,最终使得光学透过率增加,显得更加透明。

在电磁光谱可见部分,普通的平板玻璃(折射率n=1.515)大约反射8.4%入射光(从前面反射4.2%以及从后面反射4.2%),这种反射在触摸屏的应用中,使得可见光透过率下降很多,只能达到80%,但是当光线通过由不同折射率的薄膜所形成的多层复合膜时,利用透明介质膜层的光学折射率的不同来形成光学干涉效果,而最终获得减反射(AR)效应,使得可见光的光学透过率增加。

有益效果:本实用新型的高透过率触摸屏用透明导电玻璃的三层膜的产品指标:透过率大于93%,电阻率为:1*E-4Ω.cm,ITO薄膜均匀性±5%;五层膜的产品的指标:透过率大于98%,电阻率为:1*E-4Ω.cm,ITO薄膜均匀性±5%,相比现有二层膜的产品指标:透过率大于91%,电阻率为:1*E-4Ω.cm,ITO薄膜均匀性±7%,在透过率和ITO薄膜均匀性上均有明显改善。采用这种高透过率的导电玻璃作为触摸屏的导电电极,能显著地提高液晶显示器可见光透过率,提高液晶显示器的显示清晰度,降低了背光源的功耗,提高了寿命,具有绿色环保效果。

附图说明

图1为现有触摸屏用导电玻璃的结构示意图。

图2为本实用新型三层膜的结构示意图。

图3为本实用新型五层膜的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型做更进一部的解释。

如图2所示,在超薄玻璃基片1上,用磁控中频反应溅射的方法,在玻璃基片1的一面先镀制五氧化二铌膜(Nb2O5)2a和二氧化硅膜(SiO2)3a,然后再采用直流反应溅射工艺镀制铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO)4,三层膜的结构有效地提高了玻璃基片的光学透过率,并降低了玻璃基片的光学反射率,防止玻璃眩光的产生。为了进一步提高其透过率,如图3所示,在玻璃基片1的另一面,用同样的方法,镀加五氧化二铌膜(Nb2O5)2b和二氧化硅膜(SiO2)3b,即制成五层膜的结构,进一步提高其性能。所述的五氧化二铌膜(Nb2O5)2a、2b也可以用二氧化钛膜(TiO2)、氮化硅(Si3N4)、三氧化二铝(Al2O3)等代替,所述的五氧化二铌膜2a和2b或二氧化钛膜(TiO2)、氮化硅(Si3N4)、三氧化二铝(Al2O3)的膜层厚度范围为40至80nm,二氧化硅膜3a和3b的膜层厚度为10至40nm。

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