[实用新型]一种时钟产生电路有效
| 申请号： | 200820157771.1 | 申请日： | 2008-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN201340440Y | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 周志浩;韩明;袁文师 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R15/00 | 分类号： | G01R15/00;G01R22/00;H03L1/00 |
| 代理公司： | 上海兆丰知识产权代理事务所 | 代理人： | 章蔚强 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 时钟 产生 电路 | ||
【说明书】：
技术领域
本实用新型涉及电能计量领域，尤其涉及一种时钟产生电路。
技术背景
MOS管计算中与温度有关的项：迁移率μ0(T)，阈值电压Vt(T)。其分别是温度的函数。设计时通过查工艺文件，得到NMOS管和PMOS管的沟道浓度。
当杂质浓度低于1019cm-3时，晶格散射其主要作用，迁移率公式可以简化为：
阈值电压表达式：
假设φms，Qss和Cox与温度无关，Vbs＝0，对Vt求导可以得出
表明当φf＜Eg/2q，阈值电压随温度升高而下降，通常为-0.5-4mV/℃。
饱和区MOS管电流公式：Ids＝0.5μnCox(W/L)(Vgs-Vth)2
设计中，根据杂质浓度掺入剂量可以查到迁移率随着温度的衰减表。
由此可以综合考虑以上两个因素的影响，对于沟道掺杂nch＝1017cm-3，第一项起主要作用，当温度升高时电流减小。
考虑电阻温度系数
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