[实用新型]一种单芯片系统

说明书

技术领域

本实用新型属于通讯技术领域，涉及一种单芯片系统。

背景技术

在单芯片系统中，功率器件为整个芯片提供电源，同时为外部器件，诸如电池，提供电源或驱动。电源的精确度不仅对于整个电路的性能，同时也为外部器件正确安全的工作提供了必要的保证。但是由于制造工艺的偏差，在半导体制造中很难制造处精度很高的电源电路，这就需要在芯片测试阶段对电源部分的电路进行校准和修正。

在以前的技术中，金属熔丝技术是最常用的修正技术。请参阅图1，功率管理器件1’通过设置在附近的熔丝2’修正。如美国专利[US20070170544]和[US20070058472]描述了用金属熔丝的方法来实现芯片上修正的功能。这种技术的不足之处是占用面积大、操作复杂，对于高密度的单芯片系统已经不使用。

激光修正技术是另一种修正技术，美国专利[US20060213882]和[US20080111576]描述了用激光修正的方法来实现芯片上修正的电路和实现方法。但是这种方法需要昂贵的带有激光器的测试仪器。

由此可见，这两种方法都具有速度慢，产能低的缺点。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种修正时间短、密度高、成本低的单芯片系统。

为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案：

一种单芯片系统，包括功率管理器件，该功率管理器件为整个芯片提供电源；所述系统还包括与所述功率管理器件连接的编程单元，用以修正所述功率管理器件。

作为本实用新型的一种优选方案，所述编程单元为一次写入编程单元。

作为本实用新型的一种优选方案，所述功率管理器件为单芯片系统的外部器件提供电源或驱动。

作为本实用新型的一种优选方案，所述单芯片系统的外部器件包括电池。

作为本实用新型的一种优选方案，所述系统还包括开关机逻辑(OOL)、非挥发储存器(NVRAM)、及基带(BaseBand)；所述开关机逻辑(OOL)、非挥发储存器(NVRAM)分别与功率管理器件、基带(BaseBand)连接，所述基带(BaseBand)与所述编程单元连接。

作为本实用新型的一种优选方案，所述功率管理器件发出启动复位信号至开关机逻辑、NVRAM，当V(BAT)＞V(UVLO)(电池电压大于标定的参考检测电压)，所述功率管理器件发出的启动复位信号POR值由0变为1(0、1分别代表什么)；开关机逻辑把所述启动复位信号、及中断信号传输至所述基带(BaseBand)；基带(BaseBand)输出外围总线信号，外围总线通过芯片的MCU与所述功率管理器件相互访问。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型功率器件的修正是通过一次写入编程单元(OTP，One Time Program unit)来实现的。这种方法具有修正时间短、密度高、成本低的特点。在本实用新型中，与这种修正方法对应的芯片架构和设计思路都作了改进，特别是在测试机台上的流程，芯片启动的顺序等方面都与现有技术不同。

附图说明

图1为现有的单芯片系统的组成示意图。

图2为本实用新型单芯片系统的组成示意图。

图3为单芯片系统内部模块的连接示意图。

图4为单芯片系统测试模式的流程图。

图5为单芯片系统启动模式的流程图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本实用新型的优选实施例。

请参阅图2，本实用新型提供了一种单芯片系统，包括功率管理器件1，该功率管理器件1为整个芯片提供电源，同时为单芯片系统的外部器件(如电池)提供电源或驱动；所述系统还包括与所述功率管理器件1连接的编程单元，用以修正所述功率管理器件。本实施例中，所述编程单元为一次写入编程单元(OTP，One Time Program unit)2。