[实用新型]一种IGBT驱动电路有效
申请号: | 200820146904.5 | 申请日: | 2008-08-22 |
公开(公告)号: | CN201266914Y | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 王文情;徐文辉;黄辉 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518118广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 驱动 电路 | ||
1、一种IGBT驱动电路,包括:检测电源输入端电压、IGBT异常状态、并输出相应的保护控制信号,以保护IGBT安全的保护单元;与所述保护单元保护控制信号输出端连接,根据接收到的保护控制信号,及驱动控制信号生成驱动信号并输出的逻辑控制单元;以及与所述逻辑控制单元连接,根据接收到的所述逻辑控制单元输出的驱动信号驱动IGBT模块的驱动单元;其特征在于,还包括驱动状态检测单元,所述驱动单元包括扩展信号设置端,驱动状态检测单元的输入端与扩展信号设置端相连接,检测IGBT驱动电路的驱动状态,输出驱动状态信号,逻辑控制单元与驱动状态检测单元的输出端连接,根据驱动状态信号进行内部逻辑调整。
2、根据权利要求1所述的IGBT驱动电路,其特征在于,所述驱动单元至少包括第一驱动器、第二驱动器;所述逻辑控制单元分别与第一驱动器,第二驱动器的输入端相连接;所述第一驱动器还包括第一电源端、第一输出端、第一地端;所述第二驱动器包括第二电源端、第二输出端、第二地端;所述扩展信号设置端为第二电源端。
3、根据权利要求2所述的IGBT驱动电路,其特征在于,所述第一驱动器,包括第一PMOS开关管、第二NMOS开关管,第一PMOS开关管与第二NMOS开关管的栅极相连,构成第一驱动器的输入端,第一PMOS开关管的源极构成第一驱动器的第一电源端,第二NMOS开关管的源极构成第一驱动器的第一地端,第一PMOS开关管与第二NMOS开关管的漏极相连,构成第一驱动器的第一输出端。
4、根据权利要求2所述的IGBT驱动电路,其特征在于,所述第二驱动器,包括第三PMOS开关管、第四NMOS开关管,第三PMOS开关管与第四NMOS开关管的栅极相连,构成第二驱动器的输入端,第三PMOS开关管的源极构成第二驱动器的第二电源端,第四NMOS开关管的源极构成第二驱动器的第二地端,第三PMOS开关管与第四NMOS开关管的漏极相连,构成第二驱动器的第二输出端。
5、根据权利要求1所述的IGBT驱动电路,其特征在于,所述保护单元至少包括:检测IGBT温度,输出温度异常信号的第一比较器,检测电源电压,输出电源异常信号的第二比较器,检测IGBT饱和压降,输出过流和短路异常信号的第三比较器,所述逻辑控制单元分别与第一比较器、第二比较器、第三比较器的输出端相连接,根据接收到的异常信号,控制IGBT的关断。
6、根据权利要求5所述的IGBT驱动电路,其特征在于,所述保护单元还包括:输入端与所述第三比较器相连接,用于在出现过流状态时,将第三比较器输出的过流和短路异常信号保持,并输出至逻辑控制单元的异常信号保持单元,所述逻辑控制单元根据接收到的异常信号,控制IGBT的关断。
7、根据权利要求6所述的IGBT驱动电路,其特征在于,所述保护单元还包括:输入端与所述异常信号保持单元相连接,用于在IGBT出现过流状态时,控制IGBT慢速关断的软关断单元。
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