[实用新型]具有反射层的三结太阳电池有效
| 申请号： | 200820146082.0 | 申请日： | 2008-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN201311936Y | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 张银桥;蔡建九;张双翔;王向武 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/052 | 分类号： | H01L31/052;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李 宁 |
| 地址： | 361000福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 反射层 太阳电池 | ||
1、具有反射层的三结太阳电池，其特征在于：在P-Ge衬底上生长形成包含两套布拉格反射层的三结太阳电池的半导体材料层；两套布拉格反射层是一套用于反射短波光子的铝铟磷AlInP/铝镓铟磷AlGaInP顶电池反射层和一套用于反射中波光子的砷化铝AlAs/铝镓砷AlGaAs中电池反射层。
2、根据权利要求1所述具有反射层的三结太阳电池，其特征在于：所述的三结太阳电池是采用金属有机气相沉淀技术在P-Ge衬底上依序生长P-Ge底电池基区、N-Ge底电池发射区、N-GaInP底电池窗口层、N-GaAs底中电池缓冲层、P++-GaAs/N++-GaAs底中电池隧穿结、P-AlAs/AlGaAs中电池反射层、P-AlGaAs中电池背电场、P--InGaAs中电池基区、N-InGaAs中电池发射区、N-Al(Ga)InP或N-GaInP中电池窗口层、P++-AlGaAs/N++-GaInP中顶电池隧穿结、P-AlInP/AlGaInP顶电池反射层、P-AlGaInP顶电池背电场、P--(Al)GaInP顶电池基区、N-(Al)GaInP顶电池发射区、N-AlInP顶电池窗口层、N-GaAs帽层、N++-GaAs接触层。
3、根据权利要求2所述具有反射层的三结太阳电池，其特征在于：所述AlInP/AlGaInP顶电池反射层的反射波长为380～500nm。
4、根据权利要求2所述具有反射层的三结太阳电池，其特征在于：所述AlAs/AlGaAs中电池反射层的反射波长为600～880nm。
5、根据权利要求2所述具有反射层的三结太阳电池，其特征在于：所述AlInP/AlGaInP顶电池反射层为2对-10对。
6、根据权利要求2所述具有反射层的三结太阳电池，其特征在于：所述AlAs/AlGaAs中电池反射层为15对-25对。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
