[实用新型]钕铁硼并联磁路无效
| 申请号： | 200820144014.0 | 申请日： | 2008-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN201332498Y | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 安国江;代云飞 | 申请（专利权）人： | 天津真美电声器材有限责任公司 |
| 主分类号： | H04R9/02 | 分类号： | H04R9/02;H04R9/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 胡京生 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钕铁硼 并联 磁路 | ||
【权利要求书】：
1、一种钕铁硼并联磁路，包括导磁上板(2)、磁体及与导磁芯连为一体的导磁下板，其特征在于还包括导磁芯(1)与导磁下板(4)为分体结构，所述磁体为环形磁体组(3)，环形磁体组(3)固定在所述导磁上板(2)与导磁下板(4)之间，所述导磁芯(1)置于导磁上板(2)中与导磁下板(4)固定。
2、根据权利要求1所述的钕铁硼并联磁路，其特征在于：所述的导磁芯(1)侧面下端与环形磁体组(3)等高部分为斜面(101)的圆柱体，或圆心处设有通孔(102)的T形圆柱体，且在两个不同直径圆柱体相接处为弧形(103)。
3、根据权利要求1所述的钕铁硼并联磁路，其特征在于：所述环形磁体组(3)由数个钕铁硼圆片形磁体(301)阵列并联成磁路系统。
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