[实用新型]毫米波驱动级单片收/发集成电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种集成电路，具体地说，是涉及一种毫米波驱动级单片收/发集成电路。

背景技术

单片级微波毫米波集成电路(MMIC)是一种把有源(含多个场效应晶体管)和无源器件制作在同一块砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)衬底基片上的微波电路。其工作频率从1GHz到100GHz以内，广泛用于各种不同技术及电路中。而工作在30GHz以上的单片电路，也称为单片毫米波集成电路。这种电路设计灵活，元器件密度高，引线和焊点少，具有体积小，耗电省，可靠性高，工作频带宽，一致性好等优点。在无线通信领域，由于低频段频率的拥挤，电路向频段高端的毫米波段发展，例如，在24G、40G、60G的LMDS(本地多点分布通信系统)；24G、76G汽车防撞雷达；机载雷达。

通信雷达的高速发展，使得对毫米波单片电路的需求越来越大，特别是相控阵雷达的出现，是21世纪期间机载雷达的革命。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种毫米波驱动级单片收/发集成电路，实现对高频段信号的收发。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下方案：

毫米波驱动级单片收/发集成电路，其特征在于，所述集成电路包括前级开关电路SPDT1、末级开关电路SPDT2、功率放大电路MPA和低噪声放大电路LNA，前级开关电路SPDT1设置于集成电路的输入端，且其两个输出端OUT1、OUT2分别与功率放大电路MPA输入端、低噪声放大电路LNA输出端相连，而末级开关电路SPDT2设置于集成电路的输出端，其两个输入端IN1、IN2分别与功率放大电路MPA输出端、低噪声放大电路LNA输入端相连，前级开关电路SPDT1与末级开关电路SPDT2成对称设置，功率放大电路MPA与低噪声放大电路LNA成对称设置。

所述前级开关电路SPDT1包括场效应管Q1、场效应管Q4和电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4，其中，场效应管Q1的漏极D和场效应管Q4的源极S相连并作为前级开关电路SPDT1的输入端VIN；场效应管Q1的栅极G、电阻R1和电阻R2依次连接后与场效应管Q4的栅极G相连，场效应管Q1的源极S和场效应管Q4的漏极D分别作为前级开关电路SPDT1的两个输出端OUT1和OUT2；电阻R3一端与场效应管Q1的栅极G相连，另一端与电源V1相连；电阻R4一端与场效应管Q4的栅极G相连，另一端与电源V2相连；电阻R1和电阻R2的连接端还与电源Vg相连。

所述末级开关电路SPDT2由场效应管Q7、场效应管Q10和电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8组成，其中，场效应管Q7的漏极D和场效应管Q10的源极S相连并作为末级开关电路SPDT2的输出端V_OUT；场效应管Q10的栅极G、电阻R5和电阻R6依次连接后与场效应管Q7的栅极G相连，场效应管Q7的源极S和场效应管Q10的漏极D分别作为末级开关电路SPDT2的两个输入端IN1和IN2；电阻R7—端与场效应管Q10的栅极G相连，另一端与电源V1相连；电阻R8—端与场效应管Q7的栅极G相连，另一端与电源V2相连；电阻R5和电阻R6的连接端还与电源Vg相连。

所述集成电路设有自给偏置电路，由场效应管FET、电阻R、电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电感L1、电感L2和匹配耦合器组成，其中，场效应管FET的栅极G与电容C1相连，电容C1的另一端作为自给偏置电路的输入端，电感L1一端与场效应管FET的栅极G相连，另一端接地；电阻R和电容C2并联后一端与场效应管FET的源极S相连，另一端接地；场效应管FET的漏极D分别与匹配耦合器和电感L2相连，而匹配耦合器的另一端与电容C4相连，电容C4的另一端作为输出端，电感L2的另一端连接电容C3后接地，同时，电容C3的输入端还与电源V_D相连。