[实用新型]应用于光电半导体制程的全自动快速升降温设备有效
申请号: | 200820139939.6 | 申请日: | 2008-10-21 |
公开(公告)号: | CN201289857Y | 公开(公告)日: | 2009-08-12 |
发明(设计)人: | 许明慧;林武郎;洪水斌;石玉光;郑煌玉;周明源;郭明伦 | 申请(专利权)人: | 技鼎股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L33/00;H01L21/00;H01L21/677 |
代理公司: | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人: | 孙 刚 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 光电 半导体 全自动 快速 升降 设备 | ||
1.一种应用于光电半导体制程的全自动快速升降温设备,其特征在于,包含有:
至少一制程腔体,该制程腔体至少分为二层,第一层外腔为不透光金属构造外腔,预留有至少一加热源固定孔位,并连接有用以进行冷却的水冷与气冷的承载物冷却装置,制程腔体内部冷却隔板间互通,制程反应区域为矩形;第二层内腔为透光性构造内腔,并留有用以使制程气体装置向腔体内部供应洁净与制程用气体的气流孔洞;
一可气油压进退片的开关门机构,该开关门机构设于制程腔体上,该开关门机构包括具可缓冲的一承载物定位装置、一气/油压致动器及一进、退片装置,进、退片装置包含有石英层构成的一用以支撑一承载物载盘的支撑架;
一用以自动取放承载物的机械手臂,位于制程腔体旁侧;以及,
一冷却机构,设于制程腔体旁侧。
2.如权利要求1所述的应用于光电半导体制程的全自动快速升降温设备,其特征在于,该承载物为晶圆。
3.如权利要求1所述的应用于光电半导体制程的全自动快速升降温设备,其特征在于,该第一层外腔与第二层内腔间具有用于气密性封合的无氧铜构造。
4.如权利要求1所述的应用于光电半导体制程的全自动快速升降温设备,其特征在于,该加热源为至少一红外线加热灯源,并固定于第一层外腔上,以阵列排列。
5.如权利要求1所述的应用于光电半导体制程的全自动快速升降温设备,其特征在于,该载盘为用以承载至少一需进行热处理制程的承载物,该承载物可为制程反应承载物并用以配合不同承载物尺寸制程的具有均匀导热层的可置换式载盘。
6.如权利要求1所述的应用于光电半导体制程的全自动快速升降温设备,其特征在于,该第二层内腔与支撑架为多片组合式构造。
7.如权利要求1所述的应用于光电半导体制程的全自动快速升降温设备,其特征在于,该第二层内腔与支撑架为一体成型构造。
8.如权利要求1所述的应用于光电半导体制程的全自动快速升降温设备,其特征在于,该全自动快速升降温设备还包含有一取/放片区、一定位设备、一冷却机构及一卸载区,其中该取/放片区、该定位设备、该制程腔体、该冷却机构及该卸载区均依序排设在该机械手臂的四周。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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