[实用新型]封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种封装结构，且特别是一种将高侧驱动器与低侧驱动器分装在不同芯片的封装结构。

背景技术

随着科技的日新月异，电子产业蓬勃发展，功率转换器已经广泛地运用在人们的日常生活中，像是电源供应器、马达驱动器等等。现今而言，许多功率转换器采用高侧驱动器(high side driver)与低侧驱动器(low side driver)来控制耦接到负载的电源。

由于传统的高侧驱动器与低侧驱动器是合并至同一芯片中，需要采用SOI(Silicon On Insulator)技术。SOI是绝缘体的意思，原理就是在高侧驱动器与低侧驱动器之间，加入绝缘体物质，可使两者之间的寄生电容比原来少。不过，采用SOI技术需要额外的绝缘材料。另外，采用SOI技术增加了工艺的复杂度。

有鉴于此，需要一种新封装结构，可整合高侧驱动器与低侧驱动器，无需采用SOI技术。

实用新型内容

本实用新型的目的就是提供一种封装结构，可整合高侧驱动器与低侧驱动器，无需采用SOI技术。

为了实现上述目的，依照本实用新型一实施例，本实用新型提供一种封装结构，包含第一引线框架、第二引线框架、第一芯片、第二芯片以及导线。第一芯片包含高侧驱动器(high side driver)，第二芯片包含一低侧驱动器(lowside driver)、耐压元件以及控制器，其中控制器电性耦接低侧驱动器与耐压元件。在本实施例中，第二引线框架与第一引线框架分开设置，第一芯片位于第一引线框架上，第二芯片位于第二引线框架上，导线电性耦接第一芯片与第二芯片。

根据以上实施例，高侧驱动器与低侧驱动器分别设置在不同的芯片中，如此，无需采用SOI技术，即可消除高侧驱动器与低侧驱动器之间的寄生电容，而且可以较易提升频率，并减少电流漏电成为省电的电路。

为了实现上述目的，依照本实用新型另一实施例，本实用新型另提供一种封装结构，包含引线框架、第一芯片、第二芯片以及导线。第一芯片包含高侧驱动器(high side driver)，第二芯片包含低侧驱动器(low side driver)、耐压元件以及控制器，其中控制器电性耦接低侧驱动器与耐压元件。第一芯片与第二芯片皆位于引线框架上，第二芯片与第一芯片分开设置，导线电性耦接第一芯片与第二芯片。

根据以上实施例，高侧驱动器与低侧驱动器分别设置在不同的芯片中，如此，无需采用SOI技术，即可消除高侧驱动器与低侧驱动器之间的寄生电容，而且可以较易提升频率，并减少电流漏电成为省电的电路。

以下将以实施例对上述的说明以及接下来的实施方式做详细的描述，并对本实用新型提供更进一步的解释。

附图说明

为让本实用新型的所述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的详细说明如下：

图1是依照本实用新型一实施例的一种封装结构的局部示意图；

图2是依照本实用新型另一实施例的一种封装结构的局部示意图；

图3是依照本实用新型第一实施例的一种封装结构的示意图；

图4是依照本实用新型第二实施例的一种封装结构的示意图；

图5是依照本实用新型第三实施例的一种封装结构的示意图；

图6是依照本实用新型第四实施例的一种封装结构的示意图；

图7是依照本实用新型第五实施例的一种封装结构的示意图；

图8是依照本实用新型第六实施例的一种封装结构的示意图。

【主要元件符号说明】

100：封装结构

110：第二引线框架

111：第一组接脚

112：第二组接脚

116：引线框架

141：导线

151：第一组导线

152：第二组导线

119：第一引线框架

120：第一芯片

121：焊垫

122：焊垫

125：高侧驱动器

130：第二芯片

131：焊垫

132：焊垫

135：低侧驱动器

136：耐压元件

137：控制器

具体实施方式

为了使本实用新型的叙述更加详尽与完备，可参照下列的附图及各种实施例，附图中相同的号码代表相同或相似的元件。另一方面，众所周知的电路元件并未描述于实施例中，以避免造成本实用新型不必要的限制。