[实用新型]半导体制冷雾室系统在审
| 申请号： | 200820126191.6 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN201237402Y | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | （请求不公开姓名） | 申请（专利权）人： | 徐杜鹃 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02;G01N21/31;G01N21/73;G01N27/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100027北京市东城区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制冷 系统 | ||
【权利要求书】：
1、一种用于火焰原子吸收光谱仪、等离子体发射光谱仪或者等离子体质谱仪等分析仪器的半导体制冷雾室系统，其特征在于：由半导体制冷组件(2)将雾室(1)的汽雾进行制冷冷凝，将冷凝的溶剂通过排废液导管(4)排出，同时，经冷凝后的样品气溶胶经过导管(3)进入分析仪器的加热激发源。
2、根据权利要求1所述的一种半导体制冷雾室系统，其特征在于：半导体制冷的温度范围为零下20摄氏度到零上20摄氏度。
3、根据权利要求1所述的一种半导体制冷雾室系统，其特征在于：产生汽雾的雾化器可以在半导体制冷雾室内，也可以在半导体制冷雾室之外，汽雾事先经过加热后再导入半导体制冷雾室内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于徐杜鹃，未经徐杜鹃许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200820126191.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于安全注射器的针头结构
- 下一篇：一种推拉式包装盒
