[实用新型]一种高分子固体片式钽电解电容器

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子元器件领域，尤其涉及一种高分子固体片式钽电解 电容器。

背景技术

电容器的阻抗较高，特别是高频阻抗较高，会使电容器的感抗也较高， 电容器的电感和阻抗会随频率的增加成为容抗，导致电容器的容量下降，导 致这种电容器无法在较高的频率保持一定的容量。这种电容器无法应用在高 频电路中，若使用在频率较高的电路中时会出现电容器容量随频率的增高而 下降的现象。

应用在多种电路中性能优异的钽电解电容器就存在上述的缺点，钽电解 电容器的容量和测试或使用频率存在如图1所示的关系：即当测试或使用频 率增加到一定值时，钽电解电容器的容量会随频率的增加而降低，当频率增 加到与钽电解电容器的谐振频率一样时，钽电解电容器的容量将丧失，而成 为一个电感。

造成钽电解电容器这种现象的原因是：普通的片式钽电解电容器阴极采 用电子电导型的半导体材料二氧化锰，使片式钽电解电容器的阴极阻抗较 大，进而使钽电解电容器电感和阻抗会随频率的增加成为容抗，导致钽电解 电容器的容量下降，而现有技术无法再通过工艺技术处理使钽电解电容器的 高频阻抗更低，使性能优异的片式钽电解电容器因高频阻抗[ESR]较高，使用 频率受到严格限制，几乎无法使用在工作频率达到MHZ级以上的电路中。但由 于微电子技术的发展非常快，现有微电子电路中普通的处理器的主工作频率 均有可能达到MHZ以上，在进行逻辑运算较复杂的数字电路，工作频率更高， 因此使用二氧化锰作阴极的片式钽电解电容器基本不能用在此类电路中作为 滤波元件使用。钽电解电容器的这个缺点，极大的限制了片式钽电解电容器 的应用范围。

实用新型内容

基于上述现有技术所存在的问题，本实用新型实施方式提供一种高分子 固体片式钽电解电容器，以高频阻抗低材料作为钽电解电容器阴极材料，使 钽电解电容器避免了因频率高而导致容量变小，可应用在多种频率较高的电 路中。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

本实用新型实施方式提供一种高分子固体片式钽电解电容器，包括：

在封装外壳内设有钽电容颗粒，所述钽电容颗粒由带钽丝引出线的钽块 阳极、介质层和高分子阴极层构成，钽块阳极外包覆介质层，介质层外包覆 高分子阴极层，高分子阴极层的高频电导率为20S/cm，将所述钽块阳极的钽 丝引出线与封装外壳的阳极引出线电连接，高分子阴极层与封装壳体的阴极 引出线电连接。

所述高分子阴极层为3，4乙烯二氧噻吩PEDT材料形成的包覆结构层。

所述3，4乙烯二氧噻吩PEDT材料形成的包覆结构层的厚度为0.2～0.3 毫米。

由上述本实用新型实施方式提供的技术方案可以看出，本实用新型实施 方式中以3，4乙烯二氧噻吩PEDT层作为钽电解电容器的阴极，使钽电解电容 器的阴极阻抗尤其是高频阻抗，可以相比二氧化锰阴极的钽电解电容器降低 一个数量级，使该钽电解电容器的工作频率也可以提高一到二个数量级，具 有出色的高频性能，可以应用在MHz以上的电路中，并且也有效提高了钽电解 电容器的安全性，当该具有高分子阴极的钽电解电容器使用中出现意外的击 穿时，不会像二氧化锰作阴极的产品那样起火燃烧或爆炸。

附图说明

图1为现有二氧化锰为阴极的钽电解电容器的频率容量变化示意图；

图2为本实用新型实施例中的阴极3，4乙烯二氧噻吩材料的分子式结构 图；

图3为本实用新型实施例的钽电解电容器内部封装结构示意图；

图4为本实用新型实施例的钽电解电容器内的钽电容颗粒剖面结构示意 图；

图5为本实用新型实施例的钽电解电容器制造流程示意图；

图中：1.封装壳体；2.阴极引出线；3.钽电容颗粒；4.阳极引出 线；5.钽丝引出线；6.焊接点；21.钽块阳极；22.介质层；23.高分子阴极 层。

具体实施方式