[实用新型]一种通过数据线缆传输高频调制信号的装置无效
| 申请号: | 200820122903.7 | 申请日: | 2008-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN201266930Y | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
| 发明(设计)人: | 朱路 | 申请(专利权)人: | 北京中天技源电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H04B3/04 | 分类号: | H04B3/04;H01F30/06 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人: | 廖元秋 |
| 地址: | 100043北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 通过 数据 线缆 传输 高频 调制 信号 装置 | ||
技术领域
本实用新型属于高频传输技术领域,特别涉及通过数据线缆传输高频调制信号的电路设计。
背景技术
随着经济和社会的发展,许多新的技术不断被应用到监控领域。在传输方面,各种传输方式相继而生,特别是光纤和光端机的使用不仅使远距离监控成为可能,而且使得监控图像和监控信号的传送质量得到质的提升。毫无疑问,在几公里至上百公里级的应用中,光端机是传输设备的最佳选择。不过,在500米以内的近距离监控应用中,使用光纤和光端机无疑成本过高;即使采用传统的视频线缆传输方式依然存在成本过高的问题。
由此,产生了由数据线缆传输图像信号、音频信号、控制信号及相关信号,由于数据线缆是4对8线,一根线缆可以传输4种不同的信号,所以大大的降低了成本。但是数据线缆传输方式是基带传输,必然带来两大问题,即高频衰减带来的信号失真与低频易受干扰,特别是低频易受干扰问题,至今没有得到完美解决。
发明内容
本实用新型的目的是为了解决高频衰减带来的信号失真与低频易受干扰两大问题,设计出一种通过数据线缆传输高频调制信号的装置,具有数据线缆传输高频信号、有用信号不失真、抗干扰能力强、价格低廉的特点,并且可以在一根数据线缆上传输四路信号。
本实用新型设计的通过数据线缆传输高频调制信号的装置,其特征在于,该装置包括调制器、与调制器输出端相连的发送高频变压器、接收高频变压器、与接收高频变压器输出端相连的解调器;该发送高频变压器的输出端与接收高频变压器的输入端通过数据线缆相连。
本实用新型的工作过程为:发送高频变压器得到经调制器输出的高频调制信号后,通过非平衡与平衡转换、高频阻抗匹配、线缆隔离将高频调制信号送到数据线缆中。接收高频变压器收到数据线缆传来的高频调整信号,通过平衡与非平衡转换、高频阻抗匹配、线缆隔离将其还原为原来的高频调制信号,再传送到解调器之上。
本实用新型的特点:
针对在低成本的情况下,使用本实用新型通过数据线缆(简称网线)传输高频调制信号(10MHz~100MHz)。高频调制信号中可以包含图像信号、音频信号、控制信号及相关信号,适用于数据线缆传输的监控系统。
本实用新型的有益效果:
A.本装置适用于数据线缆传输高频调制信号;
B.本装置体积小、故障率低、方便客户的使用与安装;
C.使用本装置有用信号不失真;
D.抗干扰能力强,可有效抵抗汽车火花塞、强电线缆、无线频带等干扰信。
附图说明
图1为本实用新型的总体组成结构示意图。
图2为本实用新型的高频变压器实施例结构示意图。
具体实施方式
本实用新型设计的通过数据线缆传输高频调制信号的装置结构附图及实施例详细说明如下:
本实用新型设计的通过数据线缆传输高频调制信号的装置,如图1所示,该装置包括调制器(图中未示出)、与调制器输出端1相连的发送高频变压器31、接收高频变压器32、与接收高频变压器输出端2相连的解调器(图中未示出);该发送高频变压器的输出端与接收高频变压器的输入端通过数据线缆4相连。
本实用新型的发送高频变压器和接收高频变压器是在一对双芯磁环上加漆包线组成两个相同的高频变压器,通过高频变压器达到用网线传输10MHz~100MHz高频调制信号的目的。其中一个高频变压器得到高频调制信号后,通过非平衡与平衡转换、高频阻抗匹配、线缆隔离将高频调制信号送到数据线缆中。另一个高频变压器收到数据线缆传来的高频调制信号,通过平衡与非平衡转换、高频阻抗匹配、线缆隔离将其还原为原来的高频调制信号,再传送到解调器之上。
上述各部件的实施例分别说明如下:
本实施例的调制器、解调器可采用通用的产品,如本申请人的公司生产的“音视频远传器(M3S与M3R)”。
本实施例的数据线缆为目前已已使用的商用产品,如可选用5类线(CAT5)、超5类线(CAT5E)、6类线(CAT6)。
本实施例的技术参数为:
1).调制器输出端口电平范围:70~120(dBμV)
2).调制器输出端口阻抗:75Ω
3).解调器输入端口电平范围:63—93(dBμV)
4).解调器输入端口阻抗:75Ω
5).数据线缆阻抗:100~125(Ω)
6).高频变压器带内耦合衰减:3dBμV
7).工作环境:温度-20℃至60℃。
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