[实用新型]降低开关模式电源待机功耗的装置

权利要求书

1.一种用于将开关模式电源控制器耦合到整流后的线电压并降低开关模式电源待机功率的装置，其特征在于，该装置包括：

高压启动晶体管，用于在开关模式电源的启动期间提供充电电流并在开关模式电源控制器的正常操作期间不提供电流；

开关，耦合到高压启动晶体管，该开关用于从开关模式电源控制器接收控制信号，该控制信号在开关模式电源启动阶段使高压启动晶体管工作在导通状态，而在开关模式电源正常操作期间使高压启动晶体管工作在截止状态；

偏压设备，串联到该开关，该偏压设备用于在开关模式电源控制器的正常操作期间将启动晶体管维持在截止状态；

其中，当开关模式电源控制器处于正常操作阶段时流过启动晶体管的电流远小于开关模式电源控制器处于启动阶段时流过启动晶体管的电流，即充电电流。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，该启动晶体管是双极型晶体管，具有集电极、基极和发射极，其中：

集电极连接到整流后的线电压；

发射极连接到开关模式电源控制器的电源管脚Vcc；

基极通过启动电阻耦接到整流后的线电压，以及

基极还通过串联的偏压设备和开关耦接到地。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，

所述开关是NMOS晶体管，该NMOS晶体管的栅极从开关模式电源控制器的Vcc比较器接收控制信号；

所述偏压设备是源极跟随连接的PMOS晶体管，其源极连接到启动晶体管的基极；

该装置还包括，

一个或多个串联的二极管连接的PMOS晶体管，连接到位于启动晶体管发射极和地之间的电流源，所述源极跟随连接PMOS晶体管的栅极耦接到二极管连接的PMOS晶体管，使得在系统启动阶段完成之后启动晶体管的基极电压小于或等于启动晶体管的发射极电压。

4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述开关、偏压设备、以及开关模式电源控制器被包括在单一的集成电路芯片中；或者

所述开关、偏压设备、以及开关模式电源控制器被包括在第一半导体芯片中，而高压启动晶体管被包括在第二半导体芯片中，第一和第二半导体芯片包括在单一的多芯片封装中。

5.一种用于将开关模式电源开关模式电源控制器耦合到整流后的线电压并降低开关模式电源待机功率的装置，其特征在于，该装置包括：

高压启动晶体管，用于在开关模式电源的启动期间提供充电电流并在开关模式电源控制器的正常操作期间不提供电流；

齐纳二极管，耦合到高压启动晶体管的控制端，该齐纳二极管的击穿电压比开关模式电源控制器的启动电压高且比开关模式电源控制器的正常操作电压低；

该高压启动晶体管在开关模式电源控制器的正常操作期间被关断，且当开关模式电源控制器处于正常操作阶段时流过启动晶体管的电流远小于开关模式电源控制器处于启动阶段时流过启动晶体管的电流，即充电电流。