[实用新型]进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉

说明书

技术领域

本发明涉及一种进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉。

背景技术

目前，国内外生产多晶硅的主要工艺技术是“改良西门子法”：用氯气和氢气合成氯化氢，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后通入多晶硅还原炉内，在一定的温度和压力下，在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅，反应温度控制在1080摄氏度左右，最终生成棒状多晶硅产品，同时生成四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢等副产物。

多晶硅还原炉是“改良西门子法”生产多晶硅的主要设备，由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气进气管喷嘴、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上，还原炉体主体多采用不锈钢材质制成，以减少设备材质对产品的污染。

现有技术的多晶硅还原炉存在的缺陷是：无法根据实际生产需要对混和气进气管喷嘴进行适当的调节。

发明内容

本发明进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气进气管喷嘴、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质制成，以减少设备材质对产品的污染，每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上，混和气进气管分为数个喷嘴均匀设置在底盘上，其特征是混和气进气管喷嘴为有外丝的喷气装置，通过螺丝连接在底盘上有内丝的进气口上，根据实际生产需要调节混和气进气管喷嘴的高度或者更换口径不同的喷嘴，解决了现有还原炉喷嘴无法调节的缺陷，优化了混和气气体流场分布，以有利于三氯氢硅与氢气混合气在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅。

附图说明

以下附图结合说明书具体的说明本发明，但本发明不限定于这些附图中所展示出的形态。

图1为进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉主视图。

图2为可调节的进气管喷嘴的局部放大图。

具体实施方式

本发明涉及的进气管喷嘴可调节的多晶硅还原炉结构示意图如图1所示，1为含夹套冷却水的钟罩式双层炉体，2为视镜孔，3为底盘，4为底盘冷却水进水管，5为底盘冷却水出水管，6为混和气进气管，7为可调节的进气管喷嘴，8为混和气尾气出气管，9为炉体冷却水进水管，10为炉体冷却水出水管，11为连接硅芯与电极的石墨夹头，12为电极，13为硅芯，14为夹套冷却水导流板，可调节的进气管喷嘴7喷出的三氯氢硅和氢气的混合气在高温通电硅芯13上进行化学气相沉积反应，最终生成棒状多晶硅产品。

可调节的进气管喷嘴的局部放大图如图2所示，有外丝的混和气进气管喷嘴7，通过螺丝连接在底盘3有内丝的进气口上，根据实际生产需要调节混和气进气管喷嘴7的高度或者更换口径不同的喷嘴，来优化混和气气体流场分布，以有利于三氯氢硅与氢气混合气在通电高温硅芯上进行沉积反应生成棒状多晶硅产品。